電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）9月29日美光科技公布財報，公告顯示公司2022財年第四財季的營業(yè)收入為66.43億美元，同比下跌19.71%。歸屬于母公司普通股股東凈利潤為14.92億美元，同比下降45.15%。預計第一季度經(jīng)調整營收40億美元至45億美元。



看2022財年，盡管下半年的環(huán)境充滿挑戰(zhàn)，2022財年美光實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的年度收入，但仍具有穩(wěn)定的盈利能力和自由現(xiàn)金流。在產品組合中擴大了業(yè)界領先的1-alpha DRAM和176層NAND節(jié)點。在移動、汽車、工業(yè)和網(wǎng)絡業(yè)務實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入。此外，客戶和數(shù)據(jù)中心SSD份額的增加為SSD以及NAND業(yè)務帶來了創(chuàng)紀錄的收入。還擴大了新產品類別，如高帶寬HBM2e內存和GDDR6X。

2022第四季度財報來看，業(yè)績受到所有終端市場消費者需求迅速減弱和客戶庫存大幅調整的影響。美光通過大幅削減2023財年的資本支出和降低工廠的利用率來降低供應增長加以應對。

2022財年，美光的1-alpha DRAM和176層NAND節(jié)點大幅降低了成本。在第四財季，美光引領業(yè)界推出232層NAND，成為第一家在200層以上節(jié)點上批量生產的公司。還將在今年底開始1-beta DRAM節(jié)點的制造。同樣1-beta DRAM節(jié)點和232層NAND節(jié)點在大批量時將逐漸降低成本。





本月早些時候，美光已經(jīng)宣布選擇博伊西作為兩個領先的DRAM制造工廠之一，預計10年總投資約150億美元。

這一新的制造工廠與美光位于博伊西總部的現(xiàn)有研發(fā)基地相配合，有利于提高研發(fā)和制造效率，縮短產品的上市時間。美光將很快宣布第二個美國DRAM生產基地。這些新的晶圓廠將滿足后續(xù)增加晶圓產能的需求。

終端市場方面，首先看數(shù)據(jù)中心，數(shù)據(jù)中心的收入環(huán)比和同比均下滑。云業(yè)務創(chuàng)造新的收入紀錄，同比增長超過30%。受AI和數(shù)字經(jīng)濟長期增長的推動，云終端需求保持穩(wěn)健增長。
市場仍然受限于服務器建設和宏觀環(huán)境的不確定性。廣泛的數(shù)據(jù)中心解決方案組合包括DDR4、DDR5、高帶寬內存和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤，美光將繼續(xù)助力全球OEM推出176層 NVMe數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤。


電腦與圖形業(yè)務方面，由于較低的PC終端需求和客戶減少庫存，個人電腦客戶業(yè)務的收入下降。美光已大批量生產16Gb DDR5。也是唯一一家擁有全套176層TLC和Gen4 QLC NVMe固態(tài)硬盤產品組合的公司，這些產品都經(jīng)過認證，并已交付給PC OEM廠商。

圖形業(yè)務收入下降。在第四財季，美光已大批量出貨24Gbps GDDR6X，以及被NVIDIA最近推出的GeForce RTX 4090和4080采用的專有內存。

移動和智能邊緣方面，第四財季移動業(yè)務收入環(huán)比和同比均下降，但在21財年和22財年實現(xiàn)了連續(xù)兩年創(chuàng)紀錄的移動收入。

在第四財年，1-alpha占美光LPDRAM移動應用出貨量的70%以上，176層 NAND占移動NAND應用出貨量的約95%。

汽車在第四財季是又一個創(chuàng)紀錄的季度。2022財年汽車收入創(chuàng)歷史新高，同比增長30%。工業(yè)市場則受到宏觀環(huán)境影響而下跌，但長期保持強勁。

2022財年預計DRAM需求增長預計在個位數(shù)百分比范圍，NAND略高于10%。宏觀環(huán)境和客戶庫存調整抑制了DRAM和NAND的需求，也將導致供應商的庫存高企。展望2023財年，美光預計需求增長將接近DRAM和NAND的長期增長率。預計DRAM供應增長將低于需求增長。預計DRAM的長期增長率將在15%左右，略低于之前預期的15%到16%，原因是PC銷量的放緩。

對此，美光計劃了多項舉措。首先將大幅削減了資本支出，預計2023財年的資本支出約為80億美元，同比下降30%以上；建筑資本支出同比增加一倍以上，以支持下半年的需求。

預計2023財年WFE資本支出同比下降近50%，1-beta DRAM和232層NAND的增長速度遠低于此前的預期。23財年WFE資本支出用于開發(fā)領先節(jié)點的技術能力和新產品。為了立即解決現(xiàn)在的庫存狀況并減少供應增長，將有選擇地減少DRAM和NAND中的利用率。