在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。 其中，RIE也是微電子制造中常見的工藝。深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）又稱為電感耦合等離子體（Inductively Coupled Plasma，ICP）刻蝕，是一種高度各向異性干法刻蝕（Anisotropic Etch）工藝。DRIE使用刻蝕與鈍化交替進(jìn)行的Bosch工藝，解決了RIE中無法得到高深寬比結(jié)構(gòu)或陡直壁的問題。DRIE使用兩個(gè)射頻源，其中線圈射頻源（Coil RF）用于產(chǎn)生等離子體，平板射頻源（Platen RF）用于產(chǎn)生偏壓。這種分離的射頻源可以分別調(diào)整RIE刻蝕中射頻功率與等離子體濃度。DRIE技術(shù)大大推進(jìn)了MEMS技術(shù)的發(fā)展，目前主要的DRIE設(shè)備供應(yīng)商為英國的STS和法國的Alcatel。

深冷處理工藝 （Cryogenic Process）和 Bosch 工 藝（Bosch Process）是實(shí)現(xiàn)DRIE 的兩種主要方式，其中，Bosch工藝為德國 Robert Bosch GmbH公司的技術(shù)專利。

DRIE 工藝存在的問題包括滯后 （RIE Lag）效應(yīng)、側(cè)璧底部掏蝕現(xiàn)象（Charging）和鋸齒形側(cè)壁（Sealloping）現(xiàn)象等。滯后效應(yīng)是指刻蝕速率和開口窗口的大小有關(guān)，分為正效應(yīng)（大的窗口刻蝕速率較快）和反效應(yīng)（小的窗口刻蝕速率較快）兩種；側(cè)壁底部掏蝕現(xiàn)象導(dǎo)致深腔的底部出現(xiàn)側(cè)向掏蝕：鋸齒形側(cè)壁現(xiàn)象，等比例地調(diào)節(jié)刻蝕時(shí)間和鈍化時(shí)間，同時(shí)保持二者比例不變，可以減小鋸齒形側(cè)壁現(xiàn)象。

XeF2刻蝕是一種各向同性刻蝕。在室溫下，當(dāng)壓強(qiáng)小于 100mTorr （1Torr=133.3224Pa） 時(shí)，XeF2從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，XeF2氣體可以在室溫下與硅發(fā)生反應(yīng)，且刻蝕速率可達(dá)到每個(gè)進(jìn)氣周期20-50um。此外，XeF2對(duì)掩模材料具有很好的選擇比，如二氧化硅、氮化硅、鋁和光刻膠均可作為掩模材料。但 XeF2刻蝕深度不易控制，且刻蝕反應(yīng)物中含有HF氣體，需要進(jìn)行嚴(yán)格的尾氣處理。