鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過(guò)物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。

在MEMS 制造中，為實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)懸空和器件封裝等工藝，鍵合技術(shù)快速發(fā)展出了靜電鍵合技術(shù)、熱鍵合技術(shù)和金硅鍵合技術(shù)等，并充分結(jié)合表面硅加工技術(shù)與體硅加工技術(shù)。其中，靜電鍵合技術(shù)和熱鍵合技術(shù)是 MEMS 制造中的常用技術(shù)。

1. 靜電鍵合技術(shù)

靜電鍵合技術(shù)最早是由 Wallis 和 Pomerantz于 1969 年提出。靜電鍵合技術(shù)充分利用鍵合材料中雜質(zhì)在靜電場(chǎng)下向電極偏移的現(xiàn)象，在鍵合界面處留下耗盡區(qū)形成強(qiáng)電場(chǎng)，在強(qiáng)靜電力的作用下實(shí)現(xiàn)材料之間的緊密結(jié)合。由于借助強(qiáng)電場(chǎng)作用，該技術(shù)又稱為場(chǎng)助鍵合技術(shù)或陽(yáng)極鍵合技術(shù)，廣泛應(yīng)用于玻璃與半導(dǎo)體、金屬和合金的鍵合。

2.熱鍵合技術(shù)

熱鍵合技術(shù)最早是由 Lasky 提出的。熱鍵合技術(shù)借助鍵合材料表面修飾基團(tuán)的橋接作用，在高溫環(huán)境下，鍵合材料界面處原子間形成強(qiáng)健的共價(jià)鍵，從而實(shí)現(xiàn)緊密鍵合。由于熱鍵合技術(shù)僅通過(guò)高溫實(shí)現(xiàn)材料的鍵合，因此又稱為直接鍵合技術(shù)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于硅與硅、硅與二氧化硅、二氧化硅與二氧化硅等材料之間的鍵合。

審核編輯：劉清