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看看在電源去耦應(yīng)用中電容的阻抗特性

冬至子 ? 來(lái)源:開(kāi)仿啦 ? 作者:開(kāi)仿啦 ? 2022-10-11 16:17 ? 次閱讀
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poYBAGNFJXaAG9TRAAB2eGH061E041.png

電容在PDN(power distribution network)當(dāng)中的示意圖

想要知道電容如何降低PDN阻抗,首先就要知道電容自身的阻抗特性,自身寄生參數(shù)的影響。

話不多說(shuō),首先思考一下,純電容的阻抗是什么樣的?

我們可能會(huì)想到這樣一個(gè)公式:

Z=1/(2*pi*f*c)

沒(méi)錯(cuò),可是這樣不太能幫助我們理解電容在PDN中起到的作用,還不夠直觀;

我們?cè)偎伎家幌?,如果?huà)一個(gè)電容的阻抗 VS 頻率的曲線會(huì)是什么樣的呢?

如下圖:

poYBAGNFJYeATR3iAAHOfLVF3EM404.png

這就是純電容的阻抗 VS 頻率曲線,在曲線中我們可以直觀的看出電容阻抗和頻率的關(guān)系;

下面再來(lái)看一下不同容值電容的阻抗曲線:

poYBAGNFJZiAIT2VAAHt_xbSVuo036.png

容值越大,阻抗越小,整個(gè)曲線表現(xiàn)為整體向下平移;

正因?yàn)殡娙輰?duì)于高頻信號(hào)表現(xiàn)為低阻抗特性,因此,在PDN系統(tǒng)中加了很多去耦電容,但是,我們已經(jīng)介紹過(guò),電容當(dāng)中還有寄生電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR),所以我們還得研究寄生參數(shù)的影響;

下面,我們來(lái)看一下,純電感的阻抗特性,公式如下;

Z=2*pi*L*f

同樣,我們也看一下電感的阻抗 VS 頻率的曲線:

pYYBAGNFJaqAQd4wAAFQsvyddco056.png

通過(guò)曲線,可以直觀看到,電感的阻抗隨頻率的變化關(guān)系;

下面看一下,不同電感值的阻抗曲線,相信此時(shí)大家已經(jīng)有了直觀的印象,可以腦補(bǔ)出不同電感的曲線了:

pYYBAGNFJbuAf5_uAAF4sCqu9rU267.png

下面該電阻了,純電阻的阻抗 VS 頻率曲線如下:

poYBAGNFJcqAZSloAADzuyaN4FU481.png

這個(gè)沒(méi)什么好說(shuō)的了,往下看

下面重點(diǎn)來(lái)了

單個(gè)器件的阻抗特性知道了,那么他們串聯(lián)之后是什么樣的呢,下面請(qǐng)看電阻和電容串聯(lián):

poYBAGNFJeSAJXZkAAGKmn9jxrU098.pngpYYBAGNFJeqAJk9oAAG0zmG8IlI150.png

可以看到,RC串聯(lián)后,低頻部分阻抗呈現(xiàn)榮性,大小就是串聯(lián)電容的阻抗大小,高頻部分為阻性,大小為電阻的阻抗大小,下面請(qǐng)看電阻和電感串聯(lián):

pYYBAGNFJgKAWtSwAAGbIA_RIaQ659.pngpoYBAGNFJgiABq-AAAGaXsPRRU4064.png

可以看到,RL串聯(lián)后,低頻部分阻抗呈現(xiàn)為阻性,大小為電阻的阻抗大小,高頻部分阻抗呈現(xiàn)感性,大小就是串聯(lián)電感的阻抗大小,下面請(qǐng)看電容和電感串聯(lián):

pYYBAGNFJiGAarUNAAGoPV23N-U231.pngpYYBAGNFJieAW4hnAAG1-wmauJc302.png

可以看到,LC串聯(lián)后,低頻部分阻抗呈現(xiàn)為容性,大小為電容的阻抗大小,高頻部分阻抗呈現(xiàn)感性,大小就是串聯(lián)電感的阻抗大小,而不同于與電阻串聯(lián)的一點(diǎn)就是,LC串聯(lián)會(huì)形成諧振,諧振點(diǎn)的頻率可以這樣計(jì)算:

在諧振點(diǎn)處,電容的阻抗值等于電感的阻抗值,即

Z=1/(2*pi*f*c)=2*pi*L*f

推導(dǎo)出f=1/(2*pi*)

在知道了電容和電感值之后,就可以求出諧振點(diǎn)頻率,在此頻率之前為容性,在此頻率點(diǎn)之后為感性,下圖的相位就說(shuō)明了這一點(diǎn);

poYBAGNFJj2AaUaGAAFxNhFeCkg851.pngpYYBAGNFJkKAJymyAAEMMuuceEk845.png

好了,以上這些是基本功,都是為了更好地了解非理想電容的阻抗特性做準(zhǔn)備,下面請(qǐng)看真實(shí)電容的阻抗特性,即RLC串聯(lián)(簡(jiǎn)單模型)

poYBAGNFJlqAI960AAGjqBmAh1A816.pngpYYBAGNFJl-AREAIAAHA02bb0qs927.png

RLC串聯(lián)后的曲線和LC比較像,同樣是有一個(gè)自諧振頻點(diǎn),計(jì)算方法相同,在自諧振頻點(diǎn)以前呈現(xiàn)容性,在自諧振頻點(diǎn)以后呈現(xiàn)感性,LC之間也同樣存在諧振,不同的是,此時(shí)的諧振大小是受控的,大小等于等效串聯(lián)電阻的大??;

這就是非理想電容的阻抗特性,一定要印在大腦中,正是因?yàn)殡娙輰?duì)高頻的低阻抗特性,我們選擇電容來(lái)降低PDN阻抗,但也因?yàn)殡娙莸募纳鷧?shù)導(dǎo)致的在某一頻段后呈現(xiàn)為感性,因此要選取自諧振頻點(diǎn)合適的電容,下面對(duì)比幾個(gè)非理想電容的阻抗曲線,曲線來(lái)自電容廠家官方網(wǎng)站spice模型:

pYYBAGNFJm-AEBKlAAFCVqUh5CY079.pngpYYBAGNFJl-AREAIAAHA02bb0qs927.png

上邊就是幾組不同容值的電容阻抗曲線,從10nF到100uF,可以看到,在這個(gè)范圍內(nèi)(都是貼片陶瓷電容)寄生電感基本是差不多的,而由于電容容值的不同,導(dǎo)致各自的自諧振頻點(diǎn)不同,因此在PDN中去耦時(shí),就要選擇合適的電容;

那么電容除了自身的自諧振頻點(diǎn)以外,不同的電容在并聯(lián)使用時(shí)還會(huì)出現(xiàn)反諧振頻點(diǎn),下篇文章就對(duì)相同容值電容并聯(lián)、不同容值并聯(lián)這兩種情況來(lái)看電容并聯(lián)的阻抗特性,這一特性在電容去耦時(shí)也會(huì)起到反作用,所以也是至關(guān)重要的一點(diǎn)。




審核編輯:劉清

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