按照以往習慣，先上線路原路圖：

我們可以看到上圖是由芯片和4個MOS管共同構(gòu)成的全橋式開關(guān)電源輸出部分，當時芯片使用的好像是LM27402MHX型號，具體參數(shù)有興趣的小伙伴可以上網(wǎng)查找，我這邊只貼出芯片產(chǎn)商推薦外圍線路架構(gòu)圖與芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)原路圖，如下圖所示：

首先，由外部供電電壓給芯片第12腳提供一個穩(wěn)定的直流供電電壓，我們很多芯片的供電電壓都在14V左右，但是這款芯片的最大供電電壓只允許6V，所以在設(shè)計時要注意芯片的電源設(shè)計，否則非常容易引起芯片燒毀現(xiàn)象，之前我們設(shè)計時就是因為對自己太自信，沒有閱讀規(guī)格書的芯片供電電壓，導(dǎo)致燒毀了3個芯片，后來排查了很久才找到原因，所以這個要特別注意一下。

首先，由外部供電電壓給芯片第12腳提供一個穩(wěn)定的直流供電電壓，我們很多芯片的供電電壓都在14V左右，但是這款芯片的最大供電電壓只允許6V，所以在設(shè)計時要注意芯片的電源設(shè)計，否則非常容易引起芯片燒毀現(xiàn)象，之前我們設(shè)計時就是因為對自己太自信，沒有閱讀規(guī)格書的芯片供電電壓，導(dǎo)致燒毀了3個芯片，后來排查了很久才找到原因，所以這個要特別注意一下。

當供電電壓這個條件滿足后，電壓會經(jīng)過D4這個二極管對自舉電容C42進行充電操作，C42兩端電壓升高，芯片內(nèi)部電壓對C53和C54進行充電，使芯片的使能引腳及軟啟動引腳電壓上升，芯片進行第一次啟動，輸出對應(yīng)的脈沖信號給MOS管的柵極，MOS導(dǎo)通，輸出直流電壓，電壓經(jīng)后級電容濾波后得到一個平滑的輸出電壓，這個電壓通過R33和R36輸入到芯片的電壓反饋引腳，芯片內(nèi)部進行電壓檢測操作，如果電壓過高或者過低就會導(dǎo)致芯片進行保護操作；從而導(dǎo)致產(chǎn)品無法正常輸出，如果輸出電壓正常，則芯片進行工作，芯片的第15腳與第13腳分別輸出高低電平給MOS管的柵極，我們可以看到Q7與Q8同時導(dǎo)通，Q9與Q10同時導(dǎo)通，而Q7Q8導(dǎo)通時間與Q9Q10必須是錯開的，不可出現(xiàn)重疊，否則產(chǎn)品會進入死區(qū)，從而導(dǎo)致產(chǎn)品元器件能量過大而燒毀。Q7Q8導(dǎo)通時間與Q9Q10必須是錯開的，不可出現(xiàn)重疊，否則產(chǎn)品會進入死區(qū)，從而導(dǎo)致產(chǎn)品元器件能量過大而燒毀。

這個芯片內(nèi)部具有輸出過壓保護功能OVP，輸出欠壓保護功能UVP，輸出過流保護功能OCP；輸入過壓和欠壓保護功能；有興趣的小伙伴可以自行去試著搭建一下這款芯片的線路架構(gòu)。

審核編輯：劉清