一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

立即報名 | 用于工業(yè)電機驅(qū)動:使用安森美最新SiC和第 7代IGBT技術(shù)的壓鑄模功率集成模塊(TMPIM)

安森美 ? 來源:未知 ? 2022-11-14 19:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

點擊藍字關(guān)注我們

47173982-6410-11ed-8abf-dac502259ad0.gif

電機驅(qū)動系統(tǒng)正隨著工業(yè)自動化機械人激增。這些系統(tǒng)要求在惡劣工業(yè)環(huán)境中達到高能效、精準(zhǔn)的測量、準(zhǔn)確的控制及高可靠性。要有效地開發(fā)應(yīng)用于工業(yè)電機驅(qū)動的半導(dǎo)體,需要先進的設(shè)計、集成有源和無源器件的能力、精密的封裝包括基板材料,以及高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。因此,安森美推出壓鑄模功率集成模塊(TMPIM),非常適用于 HVAC、電機驅(qū)動和伺服等工業(yè)應(yīng)用。

47173982-6410-11ed-8abf-dac502259ad0.gif

此在線研討會將詳細介紹壓鑄模技術(shù):功率模塊通過壓鑄模工藝,以環(huán)氧模塑料封裝功率器件。此技術(shù)能應(yīng)用于最新的功率器件,如SiC MOSFET和第7代IGBT。

與傳統(tǒng)的凝膠填充模塊相比,TMPIM模塊能大大提高溫度循環(huán)性能,并延長模塊壽命。其采用厚銅先進基板代替普通基板,實現(xiàn)了低熱阻和高功率密度。同時,壓鑄模制造過程亦更為簡單而強大。TMPIM封裝能充份發(fā)揮SiC半導(dǎo)體和IGBT的優(yōu)勢,表現(xiàn)更高可靠性、更高功率密度和魯棒性。

研討會時間

11月16日 14:00 - 16:00

演講嘉賓

武文增?

現(xiàn)場應(yīng)用高級工程師

474f75e0-6410-11ed-8abf-dac502259ad0.png

武文增先生是安森美現(xiàn)場應(yīng)用工程師,于2015年加入仙童半導(dǎo)體,負責(zé)白色家電客戶IPM/PIM/IGBT單管等功率器件現(xiàn)場應(yīng)用支持。2016年仙童半導(dǎo)體和安森美合并后負責(zé)白色家電,汽車空調(diào),電動工具及UPS和光伏產(chǎn)品的功率器件推廣和應(yīng)用。武文增先生曾為硬件工程師,負責(zé)變頻控制器項目開發(fā),擁有超過十年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗。

如何參會

47805cdc-6410-11ed-8abf-dac502259ad0.png ? ?

請掃描左側(cè)二維碼或點擊文末“閱讀原文”,預(yù)約參加研討會

47a02ee0-6410-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg


原文標(biāo)題:立即報名 | 用于工業(yè)電機驅(qū)動:使用安森美最新SiC和第 7代IGBT技術(shù)的壓鑄模功率集成模塊(TMPIM)

文章出處:【微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1795

    瀏覽量

    93121

原文標(biāo)題:立即報名 | 用于工業(yè)電機驅(qū)動:使用安森美最新SiC和第 7代IGBT技術(shù)的壓鑄模功率集成模塊(TMPIM)

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

    碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?310次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進口<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    新型IGBTSiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

    。英飛凌發(fā)布了新一IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:08 ?309次閱讀
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>用于</b>高電壓應(yīng)用的新<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局

    結(jié)合國家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊電機
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:18 ?320次閱讀
    通用變頻器中<b class='flag-5'>SiC</b>(碳化硅)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代傳統(tǒng)<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>改變<b class='flag-5'>工業(yè)</b>能效格局

    ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

    安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?595次閱讀

    CAB450M12XM3工業(yè)SiC半橋功率模塊CREE

    175°C,確保在嚴(yán)苛的工業(yè)高溫條件下仍能穩(wěn)定高效運行。 先進MOSFET技術(shù)集成第三SiC MOSFET,具備超低導(dǎo)通電阻(RDS(o
    發(fā)表于 03-17 09:59

    壓鑄模具水路設(shè)計方法

    壓鑄模具設(shè)計中,模具水路的設(shè)計至關(guān)重要。實際生產(chǎn)過程中,熔融金屬液進入型腔并凝固,這一過程會使模具型腔溫度升高。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:08 ?817次閱讀
    <b class='flag-5'>壓鑄模</b>具水路設(shè)計方法

    安森美新型SiC模塊評估板概述

    碳化硅(SiC技術(shù)正引領(lǐng)一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:24 ?520次閱讀

    三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

    三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:58 ?2433次閱讀
    三菱<b class='flag-5'>電機工業(yè)</b>用NX封裝全<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>解析

    三菱電機開始提供工業(yè)8IGBT模塊樣品

    三菱電機株式會社近日宣布,將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:36 ?579次閱讀

    下一主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)

    今天講解的是下一主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進行學(xué)習(xí)。 之前
    的頭像 發(fā)表于 12-30 09:10 ?1257次閱讀
    下一<b class='flag-5'>代</b>主流<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝<b class='flag-5'>技術(shù)</b>研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    安森美榮獲2024亞洲金選雙料大獎

    中大放異彩,榮獲年度最佳功率半導(dǎo)體獎。這款模塊采用了創(chuàng)新的場截止7(FS7)
    的頭像 發(fā)表于 12-27 14:52 ?544次閱讀

    安森美兩大最新功率模塊系列解讀

    安森美(onsemi)在2024年先后推出兩款超強功率半導(dǎo)體模塊新貴,IGBT模塊系列——SPM31IPM,QDual3。值得注意的是,背后
    的頭像 發(fā)表于 12-19 10:54 ?843次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>兩大最新<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>系列解讀

    安森美榮獲2024亞洲金選獎兩項大獎

    供應(yīng)商獎,彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期,安森美71200VQDual3 IGBT功率
    的頭像 發(fā)表于 12-06 16:09 ?559次閱讀

    深度了解81800A/1200V IGBT功率模塊

    采用這些技術(shù)并擴大芯片面積,81200V IGBT功率模塊在相同的三菱
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?1813次閱讀
    深度了解<b class='flag-5'>第</b>8<b class='flag-5'>代</b>1800A/1200V <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    細數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品

    由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎、功率器件-
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:32 ?762次閱讀