一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS管柵源下拉電阻的作用

Torex產(chǎn)品資訊 ? 來(lái)源:Torex產(chǎn)品資訊 ? 作者:Torex產(chǎn)品資訊 ? 2022-11-17 15:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、MOS管柵源下拉電阻的作用

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對(duì)電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電,這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。

在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn),很多就因?yàn)檫@樣爆管,G接個(gè)下拉電阻對(duì)地,旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了,一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。

作用1:為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;

作用2:起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S);

第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極。這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。

二、MOS管被擊穿的原因及解決方法

第一:MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C),將管子損壞。

雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對(duì)待,在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí),工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對(duì)器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí),使用的設(shè)備必須良好接地。

第二:MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí),應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有,由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件的輸入端,一般使用時(shí),可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    87

    文章

    5626

    瀏覽量

    175218
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1358

    瀏覽量

    97081

原文標(biāo)題:MOS柵源(G-S)極下拉電阻有什么作用?都給你列出來(lái)了!

文章出處:【微信號(hào):gh_454737165c13,微信公眾號(hào):Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    mos柵極串聯(lián)電阻

    本文探討了柵極串聯(lián)電阻MOS設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的
    的頭像 發(fā)表于 06-27 09:13 ?166次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>柵極串聯(lián)<b class='flag-5'>電阻</b>

    mos極和柵極短接

    當(dāng)MOS極與柵極意外短接時(shí),可能導(dǎo)致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此,必須嚴(yán)格遵守MOS的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 06-26 09:14 ?285次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>源</b>極和柵極短接

    破解MOS高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低漏電容器件選型

    MOS(場(chǎng)效應(yīng))的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:43 ?274次閱讀
    破解<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低<b class='flag-5'>柵</b>漏電容器件選型

    三極管下拉電阻設(shè)計(jì):穩(wěn)定與效率的平衡藝術(shù)

    ;,下拉電阻通過(guò)精準(zhǔn)的電位控制,在電路穩(wěn)定、功耗優(yōu)化和抗干擾之間構(gòu)建精妙平衡。一、下拉電阻的核心作用機(jī)制:電位錨定:當(dāng)三極
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:41 ?785次閱讀
    三極管<b class='flag-5'>下拉</b><b class='flag-5'>電阻</b>設(shè)計(jì):穩(wěn)定與效率的平衡藝術(shù)

    MOSFET柵極和極的下拉電阻有什么作用

    MOSFET柵極與極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:01 ?4404次閱讀
    MOSFET柵極和<b class='flag-5'>源</b>極的<b class='flag-5'>下拉</b><b class='flag-5'>電阻</b>有什么<b class='flag-5'>作用</b>

    如何測(cè)試mos的性能 mos在電機(jī)控制中的應(yīng)用

    。 測(cè)量漏極(D)與極(S)之間的電阻,正常情況下應(yīng)為無(wú)窮大(MOS處于斷開狀態(tài))。 測(cè)量柵極(G)與漏極、柵極與極之間的
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:09 ?2861次閱讀

    MOS怎么測(cè)試好壞?

    ;對(duì)于PMOS,則相反。 正常情況下,萬(wàn)用表應(yīng)顯示一定的正向偏置電壓(NMOS約為0.4V至0.9V),表示內(nèi)部體二極正常。若讀數(shù)為零或無(wú)讀數(shù),則MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-10 14:55 ?2546次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>怎么測(cè)試好壞?

    MOS被擊穿的原因

    問(wèn)題。 一、MOS被擊穿的原因 1. 高輸入電阻與小電容 MOS的輸入電阻極高,而
    的頭像 發(fā)表于 10-04 16:44 ?4097次閱讀

    電子柵極串聯(lián)電阻作用

    電子柵極串聯(lián)電阻作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、限制驅(qū)動(dòng)電流 防止電流過(guò)大 :在電子(如MOS
    的頭像 發(fā)表于 09-24 15:14 ?1347次閱讀

    mosgs之間電阻阻值怎么選

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的GS(柵極-極)之間
    的頭像 發(fā)表于 09-18 10:04 ?4001次閱讀

    mosg極和s極串聯(lián)電阻作用一樣嗎

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的G極(柵極)和S極(極)之間串聯(lián)
    的頭像 發(fā)表于 09-18 10:01 ?1432次閱讀

    什么是MOS的線性區(qū)

    MOS的線性區(qū)是指MOS在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是電壓Vgs)和輸出
    的頭像 發(fā)表于 09-14 17:12 ?6472次閱讀

    MOS引腳有什么作用

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的引腳主要包括柵極(Gate,簡(jiǎn)稱G)、
    的頭像 發(fā)表于 08-13 15:11 ?2655次閱讀

    MOS極和漏極是什么意思

    (Source, S)和漏極(Drain, D)是兩個(gè)關(guān)鍵的電極,它們與柵極(Gate, G)共同構(gòu)成了MOS的基本結(jié)構(gòu)。以下是對(duì)MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:21 ?1w次閱讀

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 07-23 11:47 ?5354次閱讀