Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過程,是目前國內(nèi)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件??深A(yù)測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。
迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。
本期將給大家介紹Nanodcal材料學(xué)與化學(xué) 5.4.3-5.4.3.1的內(nèi)容。
5.4.3. GaAs中Ga空缺形成能計(jì)算
5.4.3.1. 模型搭建
將在5.3.2中搭建的GaAs中的Ga原子刪除,得到空缺Ga的GaAs晶體結(jié)構(gòu):
圖 5-17:
5.4.3.2. 自洽計(jì)算
(1)同2.2節(jié),準(zhǔn)備好輸入文件scf.input,As_LDA_DZP?.nad
(2)開始計(jì)算,步驟同2.2節(jié)(2)。
5.4.3.3. 形成能計(jì)算
(1)準(zhǔn)備輸入文件TotalEnergy.input,計(jì)算Ga空缺的GaAs的總能:
(2)計(jì)算形成能:
5.4.4. MgO(100)表面O缺陷的形成能計(jì)算
5.4.4.1. 模型搭建
(1)從數(shù)據(jù)庫中搜索導(dǎo)入MgO,如下:
File→Import→Import Local,找到文件夾metal_xides→MgO.hzw,點(diǎn)擊打開;
(2)點(diǎn)擊Build-Surface/Slab,對MgO做(100)方向的切面,并點(diǎn)擊Build:
圖 5-19:
(3)從數(shù)據(jù)庫中搜索導(dǎo)入O,如下:
File→Import→Import Online,輸入O,導(dǎo)入O的晶體結(jié)構(gòu),并點(diǎn)擊Add,導(dǎo)入結(jié)構(gòu):
圖 5-20:
5.4.4.2. 自洽計(jì)算
(1)以MgO為例,準(zhǔn)備好輸入文件scf.input,Mg_LDA_DZP?.nad,O_LDA_DZP-.nad
(2)開始計(jì)算,步驟同2.2節(jié)(2)。
5.4.4.3. 形成能計(jì)算
(1)準(zhǔn)備輸入文件TotalEnergy.input,計(jì)算O空缺的MgO的總能;
-
模擬器件
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
107瀏覽量
23428 -
化學(xué)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
83瀏覽量
19666 -
GaAs
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
887瀏覽量
23611 -
格林函數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
5872
原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal 材料學(xué)與化學(xué)(生成能02)
文章出處:【微信號(hào):hzwtech,微信公眾號(hào):鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
2015儲(chǔ)能技術(shù)與材料國際會(huì)議征文
2015儲(chǔ)能技術(shù)與材料會(huì)議征文
2015儲(chǔ)能技術(shù)與材料國際會(huì)議征文
2015儲(chǔ)能技術(shù)與材料國際會(huì)議征文
金屬材料的化學(xué)性能
IBM使用人工智能幫助他們預(yù)測有機(jī)化學(xué)反應(yīng)的生成

評論