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使用PLTS去嵌方法和探針校準(zhǔn)片SLOT校準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果對(duì)比

高頻高速研究中心 ? 來源:高頻高速研究中心 ? 作者:迪賽康科技 ? 2022-12-08 15:55 ? 次閱讀
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使用PLTS去嵌方法和探針校準(zhǔn)片SLOT校準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果對(duì)比

01.測(cè)試硬件設(shè)備

E5071C Keysight---校準(zhǔn)軟件:PLTS

4端口20GHz網(wǎng)絡(luò)分析儀,帶TDR選件。

適合測(cè)試20GHz以內(nèi)的S參數(shù)、阻抗 頻域、時(shí)域、信號(hào)。

02.測(cè)試環(huán)境

03.校準(zhǔn)片介紹

43049844-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

探針校準(zhǔn)片外觀

S代表短路(short),L代表負(fù)載(load), O代表開路(open), T代表直通(Thru),校準(zhǔn)時(shí)根據(jù)網(wǎng)分SLOT校準(zhǔn)步驟依次將探針分別連接對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)模塊。本次測(cè)試的DUT如上圖紅框所示

04.測(cè)試說明

測(cè)試一:先將網(wǎng)分與線纜校準(zhǔn)后,然后連接兩個(gè)探針測(cè)試DUT,將兩個(gè)探針的S參數(shù)、兩個(gè)探針+DUT的整體S參數(shù)分別導(dǎo)出,然后使用PLTS校準(zhǔn)軟件將探針本身S參數(shù)去嵌,得到單獨(dú)DUT的S參數(shù)。

測(cè)試二:將線纜連接好兩個(gè)探針,使用探針校準(zhǔn)片進(jìn)行SLOT校準(zhǔn),校準(zhǔn)完成后再將兩個(gè)探針連接DUT,直接測(cè)得DUT的S參數(shù)。

05.測(cè)試一

第一步:將port1和port2上連接的兩個(gè)GSG探針對(duì)接校準(zhǔn)片上的thru校準(zhǔn)模塊上,測(cè)得兩個(gè)探針本身的S參數(shù),測(cè)試結(jié)果如下圖所示:導(dǎo)出兩個(gè)探針的S參數(shù)文件2PRO-S。

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--測(cè)試結(jié)果--

第二步:將port1和port2上連接的兩個(gè)GSG探針對(duì)接校準(zhǔn)片上的DUT上測(cè)得兩個(gè)探針和DUT的整體S參數(shù),測(cè)試結(jié)果如下圖所示:導(dǎo)出整體S參數(shù)文件2PRO+DUT。

44e37716-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

測(cè)試結(jié)果

第三步:將第一步得到的S參數(shù)文件2PRO-S導(dǎo)入plts中,用plts將2PRO-S分成左右兩個(gè)S2P文件用于去嵌,具體操作如下圖所示,點(diǎn)擊APPLY后得到兩個(gè)S2P文件, 2PRO-S_1和2PRO-S_2,用于后續(xù)去嵌操作。

4504dc6c-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

第四步:將第二步得到的S參數(shù)文件2PRO+DUT導(dǎo)入plts中,用plts將左右兩個(gè)探針的S參數(shù)去嵌掉,只保留DUT的測(cè)試結(jié)果,具體操作如下圖所示,點(diǎn)擊APPLY后得到只包含DUT的S參數(shù)結(jié)果。

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測(cè)試一

去嵌后測(cè)試結(jié)果

455b5358-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

插損測(cè)試結(jié)果

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回?fù)p測(cè)試結(jié)果

06.測(cè)試二

探針校準(zhǔn)片SOLT校準(zhǔn)過程

第一步:將port1和port2上連接的兩個(gè)GSG探針分別對(duì)接校準(zhǔn)片的O(open)、 S(short)、L(load)、 T(Thru)進(jìn)行校準(zhǔn),具體操作如下:

45b8918a-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

Open校準(zhǔn)

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Short校準(zhǔn)

4624af8c-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

Load校準(zhǔn)

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Thru校準(zhǔn)

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單擊Done,完成校準(zhǔn)

SOLT校準(zhǔn)完成后檢驗(yàn)校準(zhǔn)質(zhì)量

校準(zhǔn)完成后,將兩個(gè)GSG探針連接到探針校準(zhǔn)片的thru模塊上,然后查看S21及S11性能;校準(zhǔn)頻段內(nèi),其中S21性能在0.05dB以內(nèi),S11性能在50dB以下,表示校準(zhǔn)質(zhì)量非常高;本次校準(zhǔn)滿足S21<-0.05dB,S11>-50dB,校準(zhǔn)質(zhì)量非常不錯(cuò)。

470db074-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

測(cè)試二

使用探針校準(zhǔn)片校準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果

472bb916-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

插損測(cè)試結(jié)果

47431cdc-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

回?fù)p測(cè)試結(jié)果

07.去嵌法和探針校準(zhǔn)片校準(zhǔn)兩種方法得到的測(cè)試結(jié)果對(duì)比

4768ea5c-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

結(jié)論:

插損:20GHz時(shí),使用兩種方式得到的DUT插損測(cè)試結(jié)果基本一致,相差0.07dB。

回?fù)pDC-20GHz內(nèi),去嵌方式測(cè)得的回?fù)p最大值比校準(zhǔn)片校準(zhǔn)的回?fù)p最大值小0.51dB,去嵌方式回?fù)p性能略優(yōu)于探針校準(zhǔn)片校準(zhǔn)的回?fù)p性能,相差不大;但整體的測(cè)試曲線走勢(shì)有較為明顯的差異,分析原因是電子校準(zhǔn)件和探針校準(zhǔn)片的阻抗存在些許差異。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:【迪賽康】使用PLTS去嵌方法和探針校準(zhǔn)片SLOT校準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果對(duì)比

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