場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

1、場效應(yīng)管的分類

按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。

按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。

按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

2、場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較

（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場

效應(yīng)管比較合適。

（3）場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)，因此靈活性比晶體管好。

（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

（5）場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。

（6）晶體管導(dǎo)通電阻大，場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百mΩ，使用場效應(yīng)管做電子開關(guān)的效率比晶體管高。

3、場效應(yīng)管使用的注意事項(xiàng)

（1）為了安全地使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管子的耗散功率。最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

（2）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓等等。

（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)同時(shí)也要注意管子的防潮。

（4）為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地，管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài)，焊接完后才把短接材科去掉，從元器件架上取下管子時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且可確保安全在未關(guān)斷電源時(shí)，絕對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。

（5）在安裝場效應(yīng)管時(shí)。注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防止管件震動，有必要將管殼體緊固起來。

（6）對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用。必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩(wěn)定、可靠地工作。

審核編輯 ：李倩