第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)...以下針對(duì)SiC器件進(jìn)行深度分析：
審核編輯：郭婷
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原文標(biāo)題：第三代半導(dǎo)體：SiC碳化硅深度產(chǎn)業(yè)分析【推薦】
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