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新聞 | 羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:未知 ? 2022-12-28 09:20 ? 次閱讀
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從2025年起將向全球電動(dòng)汽車供貨,助力延長(zhǎng)續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化

全球知名半導(dǎo)體制造羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動(dòng)汽車(以下簡(jiǎn)稱“EV”)的逆變器。

在全球?qū)崿F(xiàn)無(wú)碳社會(huì)的努力中,汽車的電動(dòng)化進(jìn)程加速,在這種背景下,開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題,業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。

羅姆自2010年在全球率先開(kāi)始量產(chǎn)SiC MOSFET以來(lái),在SiC功率元器件技術(shù)開(kāi)發(fā)方面,始終保持著業(yè)界先進(jìn)地位。其中,新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時(shí)間,并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻。在車載逆變器中采用該產(chǎn)品時(shí),與使用IGBT時(shí)相比,電耗可以減少6%(按國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“WLTC燃料消耗量測(cè)試”計(jì)算),非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。

日立安斯泰莫多年來(lái)一直致力于汽車用電機(jī)和逆變器相關(guān)的先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā),并且已經(jīng)為日益普及的EV提供了大量的產(chǎn)品,在該領(lǐng)域擁有驕人的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。此次,為了進(jìn)一步提高逆變器的性能,日立安斯泰莫首次在主驅(qū)逆變器的電路中采用了SiC功率器件,并計(jì)劃從2025年起,依次向包括日本汽車制造商在內(nèi)的全球汽車制造商供應(yīng)相應(yīng)的逆變器產(chǎn)品。

未來(lái),羅姆將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),不斷壯大產(chǎn)品陣容,并結(jié)合能夠更大限度地激發(fā)元器件性能的控制IC等外圍元器件技術(shù)優(yōu)勢(shì),持續(xù)提供有助于汽車技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。

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<關(guān)于日立安斯泰莫>

日立安斯泰莫通過(guò)由動(dòng)力總成系統(tǒng)和安全系統(tǒng)業(yè)務(wù)、底盤業(yè)務(wù)、摩托車業(yè)務(wù)、軟件業(yè)務(wù)以及售后市場(chǎng)業(yè)務(wù)組成的戰(zhàn)略業(yè)務(wù)組合,致力于不斷增強(qiáng)業(yè)務(wù)和技術(shù)創(chuàng)新能力。公司秉承以“綠色”、“數(shù)字化”、“創(chuàng)新”為核心的發(fā)展目標(biāo),通過(guò)可以減少?gòu)U氣排放的高效內(nèi)燃機(jī)系統(tǒng)和電動(dòng)系統(tǒng),助力改善地球環(huán)境,并通過(guò)自動(dòng)駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)以及先進(jìn)底盤系統(tǒng),助力提升出行的安全性和舒適性。通過(guò)提供先進(jìn)的移動(dòng)出行方案,為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)和提高客戶的企業(yè)價(jià)值做貢獻(xiàn)。

END

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