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維安1000V超高耐壓，大電流超結(jié)MOSFET填補(bǔ)國內(nèi)空白

放眼國內(nèi)外，現(xiàn)階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，且存在價(jià)格高，交付周期長等弊端。對(duì)此維安(WAYON)面向全球市場(chǎng)，對(duì)800V及以上超高壓MOS產(chǎn)品進(jìn)行了大量的技術(shù)革新，通過多年的產(chǎn)品技術(shù)積累，開發(fā)出國內(nèi)領(lǐng)先的工藝平臺(tái)，使得WAYON出產(chǎn)的超高壓SJ-MOSFET產(chǎn)品封裝更小、耐壓更高、導(dǎo)通電阻更低，給市場(chǎng)貢獻(xiàn)的高功率密度的800V及900V以上的耐壓產(chǎn)品填補(bǔ)了國內(nèi)空白，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面，也降低了客戶對(duì)國外產(chǎn)品的依存度。

目前高壓MOSFET工藝結(jié)構(gòu)主要有垂直雙擴(kuò)散性(VD MOSFET)和超結(jié)(Super-Junction)兩種，參見如下圖1，圖2。

圖1- VD-MOSFET 結(jié)構(gòu)示意圖

圖2- SJ-MOSFET 結(jié)構(gòu)示意圖

SJ-MOSFET第一篇專利是在1993年，1998年開始商業(yè)化量產(chǎn)使用。WAYON 1000V超結(jié)工藝產(chǎn)品技術(shù)是利用電荷平衡原理實(shí)現(xiàn)高耐壓的低導(dǎo)通電阻特性。

圖3 每mm2 導(dǎo)通電阻和耐壓BV曲線

由圖3可知平面型工藝VD-MOSFET存在圖中藍(lán)色硅極限的技術(shù)瓶頸Rdson*A ∝BV2.5。要實(shí)現(xiàn)超高耐壓，傳統(tǒng)VD-MOSFET 導(dǎo)通電阻RDSON會(huì)很高，比如某進(jìn)口品牌5N100 1000V,750mA RDSON高至17Ω，WAYON 5N100C2 1000V,3A RDSON 僅有3.5Ω，目前WAYON 1000V產(chǎn)品最低內(nèi)阻可至0.8Ω。

其次相比VD-MOSFET 工藝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，SJ-MOSFET封裝更小、成本更低。目前市場(chǎng)主流的1000V耐壓MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封裝為主。WAYON TO-220F封裝，在小封裝的基礎(chǔ)上可實(shí)現(xiàn)1000V器件RDSON 0.8Ω，900V,950V器件0.31Ω，800V器件可至0.09Ω。

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

高耐壓特性MOSFET具有更高浪涌特性，可提高系統(tǒng)可靠性。

圖4 700V MOSFET 4KV 浪涌波形

圖5 800V MOSFET 4KV 浪涌波形

對(duì)比圖4，圖5可知，高耐壓器件在浪涌測(cè)試承受的電流應(yīng)力更小。

超高耐壓的器件主要應(yīng)用場(chǎng)景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。

維安超高耐壓量產(chǎn)型號(hào)

900V 物料規(guī)格型號(hào)

1000V 物料規(guī)格型號(hào)

審核編輯：湯梓紅