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使用MOS管搭建雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

CHANBAEK ? 來(lái)源:硬核電子 ? 作者:電子小白菜 ? 2023-01-19 16:58 ? 次閱讀
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最近在設(shè)計(jì)中碰到一個(gè)簡(jiǎn)單,但是稍不注意就出錯(cuò)的問(wèn)題,在此分享一下。

在電路開(kāi)發(fā)過(guò)程中,我們經(jīng)常遇到兩個(gè)系統(tǒng)電平不一致的情況,比如IIC通信。使用MOS管搭建雙向電平轉(zhuǎn)換電路,是比較常見(jiàn)的做法,電路如圖1中虛線框所示,MOS管的部分參數(shù)如圖2所示。

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圖1

poYBAGO5M7iAHXqkAAD9_GtSEM8977.png

圖2

電路原理很簡(jiǎn)單,分兩種情況:

1. 從A到B

A為高電平時(shí),MOS管關(guān)斷,B端通過(guò)上拉,輸出高電平;

A為低電平時(shí),MOS管內(nèi)的體二極管導(dǎo)通,使MOS管的S極被拉低,從而使Vgs=3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管導(dǎo)通,B端被拉低,輸出低電平;

A為高阻態(tài)時(shí),MOS管關(guān)斷,B端通過(guò)上拉,輸出高電平。

2. 從B到A

B為高電平時(shí),MOS管關(guān)斷,A端通過(guò)上拉,輸出高電平;

B為低電平時(shí),Vgs=3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管導(dǎo)通,A端被拉低,輸出低電平;

B為高阻態(tài)時(shí),MOS管關(guān)斷,A端通過(guò)上拉,輸出高電平。

一直以來(lái)使用這個(gè)電路沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題,所以這次也是不假思索的照搬過(guò)來(lái),但結(jié)果是上電后,模塊B無(wú)法正常啟動(dòng)工作。

出現(xiàn)該問(wèn)題的原因也很簡(jiǎn)單,就是模塊B的通信引腳除了通信之外,還有其他作用,如圖1所示, 其在上電時(shí)需要通過(guò)下拉10K電阻R3到GND實(shí)現(xiàn)低電平,并維持一段時(shí)間,以確保模塊B能正常啟動(dòng)。 但如果直接使用該轉(zhuǎn)換電路,示波器測(cè)量到的模塊B引腳電平,在上電瞬間的波形如圖3所示,可以看到幅值在2.3V左右,已經(jīng)達(dá)到了模塊B的高電平標(biāo)準(zhǔn),因此,模塊B啟動(dòng)失敗,之后該引腳一直輸出為低電平。

poYBAGO5M-GAY54MAADnEAkmd4Y663.png

圖3

分析下工作過(guò)程, 上電瞬間,B點(diǎn)電壓是3.3V通過(guò)R2和R3分壓后得到 ,理論值等于2.2V,與實(shí)測(cè)波形接近。在該電路中,信號(hào)流是從B到A單向傳輸?shù)?,因此想到可以去掉電阻R2,那樣B點(diǎn)在上電瞬間就不會(huì)有上拉電壓,但是實(shí)際去掉R2后,模塊B依舊無(wú)法啟動(dòng)。進(jìn)一步分析,在上電瞬間B點(diǎn)電壓確實(shí)為0,但是也因此導(dǎo)致Vgs=3.3V,MOS管導(dǎo)通,R3又和上拉電阻R1形成了分壓關(guān)系,導(dǎo)致B點(diǎn)無(wú)法拉到低電平。

因此,如果想要繼續(xù)使用該電平轉(zhuǎn)換電路的話,必須加大上拉電阻R1和R2的值,使分壓后的B點(diǎn)電位達(dá)到低電平標(biāo)準(zhǔn),但是上拉電阻改的太大的話,A端高電平可能會(huì)有問(wèn)題,所以最終選擇使用兩個(gè)三極管組成的電平轉(zhuǎn)換電路,如圖4所示,問(wèn)題解決。

pYYBAGO5M_KARS6XAAAzFrDdasA276.png

圖4

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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