平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程
平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程從平面 CMOS 45nm/ 32nm 節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，Intel 公司率先成功使用替代金屬柵(Replacement - Metal - Gate， RMG) 工藝（又稱(chēng)后柵工藝），實(shí)現(xiàn)了高K氧化鉿柵介質(zhì) ( 減小柵泄漏電流） 和金屬柵（較低柵電阻），如圖所示。
該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或濕法刻蝕清除多晶硅；然后形成高k介質(zhì)（IL-ox/氧化鉿)，接下來(lái)進(jìn)行退火 一 沉積 TiN 覆蓋層 一 退火 一 沉積非晶硅覆蓋層 一 尖峰退火 一 濕法清除非晶硅 一 沉積 TaN（刻蝕阻擋層）和p型功函數(shù)層（p-WF, TiN) 一 掩模（開(kāi)nFET) 一 刻蝕 P-WF (TiN) 一 光刻膠去除 一 沉積n型功函數(shù)層（TiAI) 一 柵金屬層填充（CVD 或?yàn)R射鈦，鋁或鎢)。其他工序與文章-1的相同。
審核編輯 ：李倩
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