氮化鎵是半導體與微電子產業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經公認氮化鎵（GaN）半導體器件產品將統(tǒng)治微波放大和電能轉換領域，市場規(guī)模大于150億美元。那么氮化鎵工藝優(yōu)點是什么呢？

AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）是開關功率晶體管的有希望的候選者，因為它們具有高的斷態(tài)擊穿強度以及導通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質結構材料AlGaN的組合。最重要的特征之一是材料的擊穿強度。與Si相比，這種參數GaN比Si高10倍。這意味著與Si器件相比，對于給定的器件尺寸，可以將10倍的電壓施加到GaN器件上。如果器件接通，則剩余的導通狀態(tài)電阻Ron定義了這種情況下的器件損耗。由于具體的導通電阻Ron與維持給定擊穿電壓所需的器件漂移區(qū)的長度成比例，因此更緊湊的GaN器件具有盡可能低的導通電阻，具有Si器件。

此外，由于GaN / AlGaN HEMT的電子傳輸特性，與具有相同額定電壓的Si功率器件相比，特定的導通電阻幾乎低兩個數量級。因此，GaN器件同時實現(xiàn)高擊穿電壓和高電流水平，并具有小的半導體區(qū)域。這另外轉化為高功率水平下的高開關頻率。根據現(xiàn)有技術，GaN功率器件的靜態(tài)導通電阻優(yōu)于硅功率電子器件，并且接近碳化硅（SiC）器件的性能。

氮化鎵工藝優(yōu)點：

①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；

②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；

③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）；

④晶格對稱性比較低（為六方纖鋅礦結構或四方亞穩(wěn)的閃鋅礦結構），具有很強的壓電性（非中心對稱所致）和鐵電性（沿六方c軸自發(fā)極化）：在異質結界面附近產生很強的壓電極化（極化電場達2MV/cm）和自發(fā)極化（極化電場達3MV/cm），感生出極高密度的界面電荷，強烈調制了異質結的能帶結構，加強了對2-DEG的二維空間限制，從而提高了2-DEG的面密度（在AlGaN/GaN異質結中可達到1013/cm2，這比AlGaAs/GaAs異質結中的高一個數量級），這對器件工作很有意義。

由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特的優(yōu)勢，氮化鎵技術在功率器件市場大受歡迎。GaN 就是這樣一種創(chuàng)新，通過最大限度地降低電力轉換方面的功率損耗，它必將提高我們的能源使用效率。

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