MCU芯片的Memory Bist設(shè)計實戰(zhàn)(一）
SRAM的MBIST測試結(jié)構(gòu)如下：
SRAM的MBIST測試波形：
SRAM BIST電路完成插入后，需要做一個formal check，保證Mbist插入后，logic function不發(fā)生錯誤改變。Formal check需要注意常量設(shè)置，具體參見知識星球的詳細解釋。
此處分享2個經(jīng)典問題：
定位1：
通過trace TDO信號，一直追蹤到SRAM的Q端，發(fā)現(xiàn)Q端數(shù)據(jù)輸出是X態(tài)，通過分析發(fā)現(xiàn)本質(zhì)上還是時鐘問題，什么問題呢？
就是SRAM MBIST_CLK延時下來剛好和SRAM測試地址TADDR的跳變完全對齊了，造成了SRAM的memory model的建立/保持時間違例，SRAM model在timing違例情況下Q端輸出為X態(tài)。下文具體內(nèi)容請移步知識星球查看。
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實戰(zhàn)MCU+ISP圖像處理芯片版圖
實戰(zhàn)ISP圖像算法效果
審核編輯 ：李倩
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原文標題：MCU芯片的Memory Bist設(shè)計實戰(zhàn)(一）
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