顯示如何使用高邊開關連接/斷開電池與負載以降低功耗的應用程序。通過在電路中使用運算放大器，可提供短路保護。

高邊開關是延長電池壽命的基本方法。當不使用電路時，只需從外圍設備和子系統(tǒng)中移除電源電壓，即可消除不必要的功耗。

圖1所示的邏輯控制開關電路除了提供低阻抗開關和低靜態(tài)電流外，還提供輸出短路保護。實際開關 （Q1） 是一個 n 溝道 MOSFET，具有由穩(wěn)壓電荷泵 IC1 產生的柵極驅動 （VBATT + 10V）。

通過將VBATT應用于ON/OFF輸入來打開電路。然后VOUT（引腳9和10）上升，在一毫秒左右的時間內達到VCC + 10V，并為IC2運算放大器供電。為了確保Q1保持關斷狀態(tài)，直到有足夠的柵極驅動可用，當上升輸出等于VCC +8V時，IC1內部的閾值檢測器在PR（引腳6）處觸發(fā)0V至VBATT轉換。

VBATT出現(xiàn)在PR端子上，在低功耗運算放大器的反相輸入端產生0.75（VBATT），在同相輸入端產生100msec脈沖。脈沖（幅度VBATT減去一個二極管壓降）啟動Q1進入導通狀態(tài)，并將電池連接到負載。然后，放大器（配置為比較器）將Q1的源電壓與反相輸入電壓進行比較。只要源電壓為正，Q1就會保持導通。

通過R4的反饋提供短路保護。如果過大的負載電流將反相輸入端的源電壓拉低至基準電平以下，柵極驅動將變?yōu)榈碗娖讲㈥P斷Q1。然后，負載電壓崩潰，關閉開關。要休息，請將 ON/OFF 輸入拉至地（至少 100 毫秒）并拉回 VBATT。

圖1.穩(wěn)壓IC1電荷泵為高端電源開關Q1（n溝道功率MOSFET）產生VBATT + 10V柵極驅動 通過R4的反饋提供短路保護。

審核編輯：郭婷