小川今天給大家介紹的是輸出電容對(duì)低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
上一篇文章說(shuō)到了兩種電容,也講到了其中的一種電容,這次將輸出電容對(duì)低頻特性的影響。
仿真前
仿真中
波特圖
有心的同學(xué)可以去我前兩篇文章觀察電路的區(qū)別,能從中領(lǐng)悟到一些東西。
本例測(cè)量輸出電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變,僅輸出電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測(cè)量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標(biāo),按下述要求調(diào)節(jié):Mode區(qū),選擇Magnitude;Horizontal區(qū),選擇Log,F(xiàn)值為100MHz,I值為1Hz;Vertical區(qū),選擇Log,F(xiàn)值為40dB,I值為-20dB。打開(kāi)電源開(kāi)關(guān),就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動(dòng)讀數(shù)指針在曲線中間部位,測(cè)量出中頻時(shí)的增益,再分別求出高、低端的-3db頻率點(diǎn),測(cè)得 f(L)=35Hz。
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射極旁路電容對(duì)低頻特性的影響

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