IV法測(cè)三極管伏安特性的仿真分析
今天小川給大家分享是IV法測(cè)三極管伏安特性的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
仿真前
仿真中
IV1
IV2
IV3
IV分析儀測(cè)量三極管的伏安特性，左側(cè)3只為3D理想管，右側(cè)3只為真實(shí)管。2N2222A. 2SA1015和BSP149是常見的幾種三極管。雙擊IV特性測(cè)試儀的圖標(biāo)，按下述進(jìn)行設(shè)置：Components欄：第1、4臺(tái)IV儀選擇BJTNPN,第2、5臺(tái)IV儀選擇BJTPNP,第3、6臺(tái)IV儀選擇NMOS。Current Range (A)區(qū)和Voltage Range (V)區(qū)均選擇Lin, F和I值均不需設(shè)定。打開電源開關(guān)，即可以對(duì)比觀察它們輸出特性的，拖動(dòng)讀數(shù)指針還可以進(jìn)行精確測(cè)量。
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