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日本半導(dǎo)體是如何跌落神壇的

Henry_劉峰 ? 來(lái)源:Henry_劉峰 ? 作者:Henry_劉峰 ? 2023-03-02 11:17 ? 次閱讀
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前言

日前,據(jù)日媒報(bào)道,日本正計(jì)劃配合美國(guó)對(duì)中國(guó)“出手”,最快將在4月對(duì)尖端半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)施出口管制,日本行政機(jī)構(gòu)METI(經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。┙趯⒐肌锻鈪R及外國(guó)貿(mào)易法》修正案。

日本時(shí)事通信社報(bào)道截圖

眾所周知,去年10月拜登政府宣布限制向中國(guó)出口使用美國(guó)的相關(guān)技術(shù)產(chǎn)品,對(duì)華管制愈演愈烈。與此同時(shí),美方還積極“拉攏”荷蘭、日本在半導(dǎo)體設(shè)備方面對(duì)中國(guó)進(jìn)行“芯片圍堵”。上個(gè)月傳出消息,美日荷已就限制向中國(guó)出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備達(dá)成協(xié)議。

日媒表示,考慮到中國(guó)可能對(duì)在華日企進(jìn)行反制,當(dāng)局出臺(tái)的管制措施不會(huì)點(diǎn)名針對(duì)中國(guó)。顯然這無(wú)異于掩耳盜鈴。中國(guó)是日本半導(dǎo)體設(shè)備的最大出口市場(chǎng),相關(guān)管制開(kāi)始實(shí)施后,雙方都將受到影響,日本不可能獨(dú)善其身。

值得一提的是,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)歷了一個(gè)“硅谷從0到1,富士山下從2到3的神奇時(shí)代”,在70、80年代逐步走向“世界第一”,如日中天時(shí)遭到美國(guó)打壓。十多年間經(jīng)歷數(shù)次日美貿(mào)易摩擦,疊加經(jīng)濟(jì)衰退等影響,2000年后日漸式微。

在日本半導(dǎo)體的興衰中,我們會(huì)看到一些與中國(guó)眼下的處境相似的部分,值得思考。此外,印象中今天的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)似乎早已失勢(shì),不足為懼。然而事實(shí)上,日本半導(dǎo)體設(shè)備、材料方面在全球產(chǎn)業(yè)鏈中依然獨(dú)樹一幟,仍需警惕。

本文,我們?cè)噲D對(duì)日本半導(dǎo)體的興衰、現(xiàn)狀及其管制措施可能產(chǎn)生的影響進(jìn)行簡(jiǎn)要梳理。

01.富士山下從2到3的神奇時(shí)代興起

1945年,井深大、盛田昭夫共同出資建立了“東京通信研究所”,即索尼的前身。之后索尼的起步,正式開(kāi)啟了日本半導(dǎo)體時(shí)代。

東通工成立不久,井深大在美國(guó)購(gòu)買了晶體管的生產(chǎn)專利,欲將其用來(lái)開(kāi)發(fā)收音機(jī)。但他用2.5萬(wàn)美元的外匯買來(lái)的僅是生產(chǎn)晶體管的授權(quán),并沒(méi)有詳細(xì)的制作方法。且當(dāng)時(shí)的日本電子業(yè)還很落后,基礎(chǔ)的產(chǎn)業(yè)工人及制造經(jīng)驗(yàn)都相當(dāng)匱乏。

困局之時(shí),盛田昭夫?qū)⑵涿梅?、東通工錄音機(jī)制造部部長(zhǎng)巖間和夫送往美國(guó)“偷師”。在貝爾實(shí)驗(yàn)室所在的西部電器公司,巖間和夫受到美國(guó)人的歡迎,但被要求不能拍照和記筆記。

巖間和夫隨后的表現(xiàn)頗具“使命精神”。他用蹩腳的英文提問(wèn)、細(xì)心觀察工廠,憑借記憶將白天與美國(guó)工程師交流的內(nèi)容及看到的畫面整理在紙面上,寄回日本。

4年時(shí)間共計(jì)256頁(yè)手稿,完整記錄了晶體管的生產(chǎn)流程說(shuō)明及注解,東通工靠巖間和夫的手稿指引,在其回國(guó)前一周成功制造出晶體管。巖間和夫后來(lái)被稱為“日本半導(dǎo)體之父”。

1955年,索尼發(fā)布幾經(jīng)改良的晶體管收音機(jī)TR-55,引爆市場(chǎng)。次年,其又推出世界上最小的半導(dǎo)體收音機(jī),再獲成功。1958年,日本半導(dǎo)體收音機(jī)的產(chǎn)量已然位居世界首位。

我們知道,現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)源于貝爾實(shí)驗(yàn)室在1947年發(fā)明的第一塊晶體管,直到20世紀(jì)70年代末美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)無(wú)論在技術(shù)還是市場(chǎng)占有上都處于領(lǐng)先地位。

索尼晶體管收音機(jī)的成功,使日本半導(dǎo)體業(yè)在遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于美國(guó)的情況下,快速實(shí)現(xiàn)彎道超車。積極的市場(chǎng)反饋帶動(dòng)日本晶體管產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,1959年日本晶體管銷量世界第一,產(chǎn)量追平美國(guó)。至此,日本成功開(kāi)辟了一條“引進(jìn)-消化-改良-反超”的可復(fù)制化發(fā)展路徑。

這種發(fā)展模式讓其在此后的二十年間走向鼎盛,也為其后來(lái)的衰退埋下隱患。

突圍

60年代初,IC產(chǎn)業(yè)時(shí)代到來(lái),導(dǎo)彈技術(shù)的發(fā)展使IC在軍事上的使用量猛增,美國(guó)半導(dǎo)體因政府集中采購(gòu)而快速成長(zhǎng),市占率一度高達(dá)73%,IC上集成的元件數(shù)量幾乎每1.5年就要增加1倍,半導(dǎo)體也進(jìn)入到了LSI(高密度集成電路)的時(shí)代。

但彼時(shí)的日本或沉浸在晶體管帶來(lái)的勝利中,未能及時(shí)嗅到IC的產(chǎn)業(yè)價(jià)值。直到1966年,日本才將“集成電路”列入產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì),一邊阻止美國(guó)企業(yè)侵占本國(guó)市場(chǎng),一邊扶持本國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展,日本政府多管齊下發(fā)展半導(dǎo)體的決心,在這個(gè)過(guò)程中也展露無(wú)疑,諸如:

出臺(tái)法案從投資、貸款和稅收等方面給予政策支持;

實(shí)行貿(mào)易保護(hù)主義,限制中低端芯片進(jìn)口,只允許極少數(shù)高端電子器件進(jìn)口;

限制外資比例,美國(guó)公司想要進(jìn)入日本市場(chǎng),得用技術(shù)換市場(chǎng)。

事實(shí)上,60年代,美國(guó)政府就試圖用貿(mào)易制裁、切斷專利供給等方式威脅日本改變貿(mào)易策略,但日本利用德州儀器與仙童兩家巨頭的IC專利權(quán)矛盾,坐收漁翁之利,最終使得德州儀器與索尼、仙童與日本電氣成立合資公司,迫使他們用技術(shù)換市場(chǎng)。

隨后,美國(guó)無(wú)線電公司與日立、美國(guó)通用電氣與東芝也相繼建立合作,日本順理成章拿到了美國(guó)的核心技術(shù)。此外,日本工人的“工匠精神”使該國(guó)在IC方面握有高質(zhì)量、高良品率、高產(chǎn)業(yè)效率的極大優(yōu)勢(shì),助推日本IC產(chǎn)業(yè)日益兵強(qiáng)馬壯。

70年代日本又迎新挑戰(zhàn),而這一挑戰(zhàn)也成為日本進(jìn)入黃金時(shí)代的重大機(jī)遇。

1970年,英特爾推出第一個(gè)DRAM芯片C1103,標(biāo)志著DRAM內(nèi)存時(shí)代的到來(lái)。1K DRAM取得巨大成功,那一年IBM新推出的大型計(jì)算機(jī)上,也使用了DRAM內(nèi)存。

這一時(shí)期的日本盡管能夠生產(chǎn)DRAM芯片,1972年即研制成功1K DRAM,但其生產(chǎn)所用的關(guān)鍵設(shè)備及原料都得從美國(guó)進(jìn)口。同時(shí),美國(guó)在技術(shù)上依然遙遙領(lǐng)先,美國(guó)DRAM已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路(VLSI),日本還停留在上一代技術(shù)大規(guī)模集成電路(LSI)。

DRAM市場(chǎng)的巨大誘惑及美國(guó)帶來(lái)的沖擊,促使日本以舉國(guó)之力開(kāi)發(fā)VLSI。

1976年,日本政府啟動(dòng)了“DRAM制法革新”項(xiàng)目,政企合資720億日元成立了國(guó)家級(jí)“VLSI技術(shù)研究所”,日本五大計(jì)算巨頭富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機(jī)都參與進(jìn)來(lái),產(chǎn)、學(xué)、政聯(lián)合共計(jì)800多人參與研發(fā)新技術(shù)和新產(chǎn)品,包括被美國(guó)卡脖子的設(shè)備、材料。

就在這一年,日本與美國(guó)同時(shí)研制出16K DRAM。1978年,日本又研制成功64K DRAM大規(guī)模集成電路,而美國(guó)卻落后了整整一年。

64K讓日本開(kāi)始在DRAM市場(chǎng)叱咤風(fēng)云,這也意味著日本領(lǐng)先美國(guó)挺進(jìn)VLSI時(shí)代,實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)技術(shù)的趕超。

不得不說(shuō),舉國(guó)之力下的VLSI研究所對(duì)日本半導(dǎo)體的全面發(fā)展起到了極大的助推作用。

為期4年的“VLSI”項(xiàng)目為日本半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)造了4000多件技術(shù)專利和一條完整的DRAM產(chǎn)業(yè)鏈:做材料的京瓷和住友,做光罩的TOPPAN,做封測(cè)的東京電子,和做***的尼康。

可以說(shuō),VLSI研究所敲開(kāi)了日本半導(dǎo)體黃金時(shí)代的大門,也為日后衰退的日本半導(dǎo)體業(yè)留下了希望之種。

黃金時(shí)代

1978年后,個(gè)人電腦市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)帶動(dòng)內(nèi)存需求擴(kuò)張,日本DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入興盛期。

其時(shí),還發(fā)生過(guò)一個(gè)趣事。日本依附美國(guó)成長(zhǎng)起來(lái),“小弟”總是不被“老大哥”放在眼里,美企想當(dāng)然的認(rèn)為日本芯片質(zhì)量不行。

1980年,惠普對(duì)競(jìng)標(biāo)公司進(jìn)行質(zhì)檢卻發(fā)現(xiàn),美國(guó)最好的DRAM公司英特爾的芯片不合格率比日本3家競(jìng)標(biāo)公司中最差的DRAM公司還高出6倍。

質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的日本DRAM內(nèi)存在美國(guó)迅速崛起。到1982年,日本成為全球最大的DRAM生產(chǎn)國(guó)。

再次彎道超的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在80年代全然處于騰飛階段,NEC、日立、東芝、富士通、松下電子、三菱電機(jī)、SONY等日企的產(chǎn)品幾乎充斥了美國(guó)市場(chǎng),擠占了不少份額。

1980年,日本DRAM的全球市場(chǎng)份額與美國(guó)基本持平;1985年,其全球市占率首次超過(guò)美國(guó)(39.8%)達(dá)到47.6%;1988年日本已占據(jù)了世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的51%,美國(guó)下降到37%。

到了1990年,全球前10大半導(dǎo)體公司中,日本公司占據(jù)6家;前三名分別是NEC、東芝和日立,巨頭英特爾也只能排在第四名。這讓美企率先一步嗅到了危機(jī)。

不過(guò),“小弟”爬到了“老大哥”頭上高舉自己的旗幟,好日子也就快到頭了。

衰落

盛極必衰是歷史的必然,而業(yè)界普遍認(rèn)為日美半導(dǎo)體摩擦是導(dǎo)致日本衰落的一個(gè)重要先兆。

早在80年代,美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界就對(duì)日本產(chǎn)生戒備之心,以威脅國(guó)家安全為由要求美國(guó)政府反擊。1985年,美國(guó)對(duì)日本的貿(mào)易逆差高達(dá)497億美元,占總逆差的34%,也引起了美國(guó)國(guó)會(huì)的關(guān)注,強(qiáng)烈要求政府發(fā)布對(duì)日的貿(mào)易報(bào)復(fù)措施。

這年,美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界進(jìn)行了3次請(qǐng)?jiān)福卦V日本半導(dǎo)體廠商的傾銷行為,提出了反傾銷訴訟。1987年,美國(guó)開(kāi)始對(duì)日本采取貿(mào)易制裁措施予以報(bào)復(fù),例如征收?qǐng)?bào)復(fù)性關(guān)稅,對(duì)DRAM征收12%~35%的反傾銷稅等,制裁措施一直持續(xù)到1991年。

1991年,美國(guó)政府以換取制裁的暫停為交換條件,逼迫日本重新簽署五年期《日美半導(dǎo)體協(xié)議》,明確規(guī)定把外國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品在日本國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額提升至20%以上。而在此之前,美國(guó)已與日本簽署過(guò)多次有關(guān)半導(dǎo)體的不平等條約。

日美貿(mào)易摩擦下,日本的DRAM市場(chǎng)份額從1986年的80%不斷下降到1992年的40%。與此同時(shí),韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)品份額持續(xù)上升,日本企業(yè)的國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)份額日益萎縮。

另一方面,90年代后期亞洲的金融危機(jī)加重半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退,日本在這一時(shí)期又不惜成本的堅(jiān)持追求高質(zhì)量,因執(zhí)著于局部而忽視了全局的變化,導(dǎo)致自身的價(jià)格優(yōu)勢(shì)被削弱。

1996年,日美半導(dǎo)體協(xié)定結(jié)束時(shí),外國(guó)半導(dǎo)體在日本占據(jù)了28%的市場(chǎng),但此時(shí)的日本大勢(shì)已去,DRAM產(chǎn)業(yè)的霸主地位被韓國(guó)奪走。自此,日本半導(dǎo)體的衰退之路清晰可見(jiàn)。

2000年以后,日本半導(dǎo)體在經(jīng)濟(jì)衰退、電子產(chǎn)業(yè)失勢(shì)中難以再振作,甚至錯(cuò)失了互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展浪潮,在接下來(lái)的PC與智能手機(jī)時(shí)代中幾乎淪為了旁觀者。

后來(lái)的事我們都知道,2012年,為挽救日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而存在的爾必達(dá)破產(chǎn),瑞薩電子陷入危機(jī),日本半導(dǎo)體徹底失去了與韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣抗衡之力。

1988年日本半導(dǎo)體在世界市場(chǎng)占有率為50.3%,但到了2019年僅剩下10.0%。

在“失去的二十年”里,日本半導(dǎo)體并非我們所想的那般全面衰落。

如前文所言,盡管VLSI研究所的存在及這種舉國(guó)之力的突圍模式?jīng)]能讓日本長(zhǎng)盛不衰,但也為其留下了希望之種,即包括半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等在內(nèi)的上游產(chǎn)業(yè)鏈,日本一直保持了其優(yōu)勢(shì)地位,在今天依然獨(dú)樹一幟。

例如,今天的日本仍是世界最大的半導(dǎo)體原料出口國(guó),甚至是大量半導(dǎo)體原材料的唯一供應(yīng)商。

芯片生產(chǎn)所需的19種必須材料中,日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、藥業(yè)、靶材料、保護(hù)涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、 TAB、 COF、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%或以上的份額,日本半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)在全球長(zhǎng)期保持著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

半導(dǎo)體設(shè)備方面同樣如此。半導(dǎo)體必備的26種設(shè)備中,日本企業(yè)在10種設(shè)備上所占的市場(chǎng)份額超過(guò)50%,在電子束描畫設(shè)備、涂布/顯影設(shè)備、清洗設(shè)備、氧化爐、減壓CVD設(shè)備等重要前端半導(dǎo)體設(shè)備幾乎壟斷市場(chǎng),后端設(shè)備上,日本的劃片機(jī)和成型器也是世界第一。

據(jù)悉,東京電子是世界上唯一一家產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體生產(chǎn)四個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的制造商,占據(jù)了EUV光刻涂布/顯影設(shè)備100%的市場(chǎng)份額,而在擴(kuò)散爐、薄膜沉積設(shè)備、金屬沉積設(shè)備、涂布機(jī)等的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)上,其市場(chǎng)份額位也位居全球前二。

由此可見(jiàn),日本半導(dǎo)體仍是一股不可小覷的力量。

眾所周知,日本長(zhǎng)期“依附”美國(guó),在當(dāng)下的局勢(shì)中其成為美國(guó)的一枚棋子也在意料之中。但不得不提的是,中國(guó)作為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一大出口市場(chǎng),一旦日本的管制措施開(kāi)始實(shí)施,將對(duì)其本國(guó)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)重挫。

日本芯片制造裝備協(xié)會(huì)(SEAJ)的數(shù)據(jù)顯示,2021年度日本產(chǎn)的芯片制造設(shè)備的銷售額為3.443萬(wàn)億日元,其中對(duì)華出口額比上年度增加57%,達(dá)到9924億日元,約占整體的三成,居各出口對(duì)象國(guó)和地區(qū)首位。

據(jù)日媒報(bào)道,隨著對(duì)華芯片出口限制的推進(jìn),日本目前對(duì)華銷售額的大約一半將受到影響。此前,東京電子總裁河合利樹也表達(dá)了日本企業(yè)希望“維持現(xiàn)狀”的心聲,不希望損害客戶利益,該公司近三成的銷售額都來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)。

失去中國(guó)市場(chǎng),對(duì)于經(jīng)濟(jì)發(fā)展緩慢的日本而言未必能承受得住。如中國(guó)外交部發(fā)言人毛寧所言,企圖堵別人的路,最終只會(huì)堵死自己的路。

結(jié)語(yǔ)

以史為鏡,可以知興替。日本半導(dǎo)體的興衰史,對(duì)我們而言鏡鑒價(jià)值明顯。今日我們的處境與之何其相似,甚至更為棘手。但肯定的一點(diǎn)是,中國(guó)半導(dǎo)體必然能夠突破重圍,實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主。

就像被施壓的荷蘭ASML的首席執(zhí)行官Peter Wennink對(duì)相關(guān)方所警告的那樣,美國(guó)的行動(dòng)將會(huì)產(chǎn)生意想不到的后果,中國(guó)會(huì)開(kāi)發(fā)自己的技術(shù),“需要時(shí)間,但最終會(huì)實(shí)現(xiàn)。

審核編輯黃宇

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    Tenstorrent擬在日本開(kāi)展業(yè)務(wù),專注尖端半導(dǎo)體設(shè)計(jì)

    近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,AI芯片領(lǐng)域的初創(chuàng)企業(yè)Tenstorrent正計(jì)劃在日本拓展其業(yè)務(wù)版圖,專注于設(shè)計(jì)尖端半導(dǎo)體產(chǎn)品。這一戰(zhàn)略舉措不僅展示了Tenstorrent在全球市場(chǎng)上的雄心壯志,也凸顯了日本
    的頭像 發(fā)表于 12-11 09:57 ?577次閱讀

    10萬(wàn)億,日本投向半導(dǎo)體

    近年來(lái),在地緣政治和各種因素的影響下,以中美為首的國(guó)家正在大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。與此同時(shí),日韓和越南等國(guó)家,也正在大力投入這個(gè)產(chǎn)業(yè)。 日本:向芯片投資10萬(wàn)億元 日本首相石破茂此前公布了一項(xiàng) 650
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:59 ?877次閱讀

    中國(guó)半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    。他們?cè)谛酒O(shè)計(jì)和制造確實(shí)不行了,他的設(shè)備、材料,還有一些領(lǐng)域還不錯(cuò)。 今天,我想給大家講為什么他走下神壇,除了美國(guó)的打壓,他自己做錯(cuò)了什么,或者說(shuō)他自己有什么不足。 三 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的若干教訓(xùn)
    發(fā)表于 11-04 12:00

    德州儀器日本會(huì)津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體

    近日,德州儀器(TI)宣布了一個(gè)重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域自有制造產(chǎn)能的大幅提升,產(chǎn)能增至原來(lái)的四倍。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 17:30 ?889次閱讀

    日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺(tái)積電氮化鎵合作,代工趨勢(shì)顯現(xiàn)

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作,其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵市場(chǎng)的代工趨勢(shì)正在加速發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?1004次閱讀

    德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

    德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI的GaN功率半導(dǎo)體自有產(chǎn)能增加至原先的四倍。
    的頭像 發(fā)表于 10-26 15:21 ?1071次閱讀

    日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)

    日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)激烈,但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:10 ?1201次閱讀

    日本政府?dāng)M向Rapidus半導(dǎo)體公司出資

    日本政府近日正積極探討向Rapidus半導(dǎo)體公司出資的可能性,旨在支持該公司在2027年實(shí)現(xiàn)下一代
    的頭像 發(fā)表于 10-11 16:03 ?655次閱讀

    日本與英特爾合建半導(dǎo)體研發(fā)中心,將配備EUV光刻機(jī)

    英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心,配備EUV光刻設(shè)備,支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)9月3日?qǐng)?bào)導(dǎo),美國(guó)處理器大廠英特爾已
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:57 ?655次閱讀

    日本加速SiC供應(yīng)鏈布局,強(qiáng)化功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力

    在電動(dòng)車等領(lǐng)域至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中,日本廠商雖占據(jù)全球前十大席位中的四席,但在基于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的關(guān)鍵領(lǐng)域卻面臨挑戰(zhàn)。據(jù)日媒報(bào)道,日本在SiC器件及基板量產(chǎn)上已
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:10 ?714次閱讀

    半導(dǎo)體

    本人接觸質(zhì)量工作時(shí)間很短,經(jīng)驗(yàn)不足,想了解一下,在半導(dǎo)體行業(yè)中,由于客戶端使用問(wèn)題造成器件失效,失效率為多少時(shí)會(huì)接受客訴
    發(fā)表于 07-11 17:00

    日本半導(dǎo)體設(shè)備公司排名

    來(lái)源:moneyDJ AI普及,GPU、高頻寬記憶體(HBM)需求夯,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ)上修日本半導(dǎo)體(芯片)設(shè)備銷售額預(yù)估,2024年度將史上首度沖破4兆日?qǐng)A大關(guān)、
    的頭像 發(fā)表于 07-10 13:38 ?970次閱讀

    為重振半導(dǎo)體市場(chǎng)地位,八大日本巨頭砸高達(dá)5萬(wàn)億

    在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基石,其重要性不言而喻。近期,日本半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)振奮人心的消息,索尼、三菱電機(jī)等八大日本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-09 14:25 ?1325次閱讀