1. NPN達林頓結構

這是早期的一種實現方式，采用達林頓結構增加通流能力。

維基百科：

達靈頓晶體管(英語：Darlington transistor)，或稱達靈頓對(Darlington pair)是電子學中由兩個(甚至多個)雙極性晶體管(或者其他類似的集成電路或分立器件)組成的復合結構，通過這樣的結構，經第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大。這樣的結構可以提供一個比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。在使用集成電流芯片的情況里，達靈頓晶體管可以使得芯片比使用兩個分立晶體管器件占用更少的空間，因為兩個晶體管可以共用一個集電極。達靈頓晶體管通常被封裝在單一的芯片里，從外面看就像一個雙極性晶體管。有時，集成電路芯片中會包含8個這樣的結構方便使用。

達靈頓結構是由貝爾實驗室的工程師悉尼·達靈頓(Sidney Darlington)在1958年發(fā)明的。他后來將這種兩三個晶體接在一起、共同接在一個集電極的創(chuàng)意申報了專利。另一種看起來與之相似的結構是將兩個半導體類型晶體管連接起來(例如NPN-PNP)，這種結構被稱作是西克對管(Sziklai pair)。

電路參數

達林頓管的損耗為：188.76106mW

輸出電壓：7.499732V

2. PNP線性穩(wěn)壓

需要一個PNP管和NPN管配合組成一對，NPN管的基極電流是用來控制流過PNP的負載電流。

電路參數

PNP管的損耗為：189.04504mW

輸出電壓：7.4999814V

3. NMOS線性穩(wěn)壓

需要給NMOS的柵極提供比NPN、PNP更高的驅動電壓，設計更復雜一些，或者也可以使用PMOS管，價格比NMOS管貴。

電路參數

NMOS管的損耗為：188.76421mW

輸出電壓：7.4997177V