QR模式下工作的反激變換器工作在DCM模式下，在DCM模式下實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振，原邊的開關(guān)管可以實(shí)現(xiàn)ZVS開通，大大減少了開通損耗，副邊二極管可以實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷，減小了二極管的反向恢復(fù)，可以使用一般的快恢復(fù)二極管。

QR模式下的反激變換器

和傳統(tǒng)的PWM模式下的反激變換器相比，QR模式下的反激變換器多一個(gè)原邊MOS管Uds電壓檢測電路，可以實(shí)現(xiàn)MOS管谷底開通，減小MOS管的開通損耗。

QR模式下是如何工作的？

QR模式下MOS管DS電壓波形及電流波形及副邊二極管波形

QR模式是工作在DCM模式下的，在Toff階段下原邊電感電流和副邊二極管電流會(huì)慢慢減小，當(dāng)電流減小到0時(shí)，lp電感兩端的電壓慢慢下降直到0，而第三個(gè)繞組3也是耦合原邊繞組的，所以第三個(gè)繞組的電壓也會(huì)下降到零，在繞組電壓下降的的過程中芯片會(huì)有個(gè)引腳檢測到原邊電流為零，此時(shí)的LP會(huì)和mos管的Coss產(chǎn)生諧振，芯片可以做到當(dāng)mos管電壓最低的時(shí)候去開通mos管，這個(gè)時(shí)候mos管開通的電壓很低，開通損耗自然會(huì)減少。

QR模式一般工作在變頻模式下，一般會(huì)根據(jù)負(fù)載大小來改變變換器的頻率大小，負(fù)載變輕，可能會(huì)在mos管第二或者第三個(gè)谷底導(dǎo)通，負(fù)載再變輕，可能會(huì)在更后面的谷底導(dǎo)通，負(fù)載越輕，變換器的頻率會(huì)越高，因?yàn)镸os管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間會(huì)根據(jù)負(fù)載大小變化而變化，原邊電流越大，開關(guān)開通關(guān)斷時(shí)間也越大，頻率也就越低。一般頻率大小會(huì)根據(jù)芯片的UFB腳電壓變換而變換，

一般在UFB1到到UFB2之間，是UFB越高頻率越低，在小于UFB1時(shí)，芯片會(huì)進(jìn)入打嗝模式，在大于UFB2時(shí)，芯片會(huì)有個(gè)最小頻率限制的要求。

后面講PSR（原邊反饋）模式下的反激變換器