實(shí)驗(yàn)原理

通過理論學(xué)習(xí)我們知道，二極管的伏安特性曲線如下：

顯然，拿到一個(gè)特定的二極管，如果能提前繪制出此曲線，電路設(shè)計(jì)能起到事半功倍的效果。那么在實(shí)驗(yàn)室或者仿真環(huán)境下，我們該如何得到特定二極管的伏安特性曲線呢?從數(shù)學(xué)理論我們知道，橫軸一般稱之為自變量，縱軸稱之為因變量。即我們應(yīng)通過逐點(diǎn)更改特定二極管所承受的電壓，并記錄對應(yīng)點(diǎn)的電流。通過手繪(描點(diǎn)做圖)或者機(jī)繪(excel 或者MatLab)即可得到上述圖形。

實(shí)驗(yàn)過程

逐點(diǎn)測量繪制法

此方法對測試取點(diǎn)的規(guī)律性沒有要求，可以根據(jù)圖形的特點(diǎn)自由的添加和刪減測試點(diǎn)數(shù)。缺點(diǎn)是工作量較大。

典型的二極管伏安特性曲線測試電路圖如下：

注：搜索資料可以看出，1n4148 的反向耐壓是 75 付，故負(fù)電源設(shè)置為 100V。根據(jù)你所認(rèn)為的標(biāo)準(zhǔn)，在 0~2V 之間取 20 個(gè)點(diǎn);-100~0 之間取 20 個(gè)點(diǎn)，完成電壓的選取和數(shù)據(jù)的測繪工作。并根據(jù)要求畫出二極管伏安特性圖。

電源掃描法：

指定激勵(lì)源為 DC 直流，因變量為電流，繪制原理圖如左側(cè)所示。進(jìn)行DC TRANSFER CURVEANALYSIS 分析。第一掃描源為 DC 直流。

開始點(diǎn)為-100V，結(jié)束點(diǎn)為 2V，測試點(diǎn)數(shù)為 10000。Y 軸坐標(biāo)范圍為-50m~+50m，查看二極管的反向擊穿特性和正向?qū)ㄌ匦浴?/p>

開始點(diǎn)為-1V，結(jié)束點(diǎn)為 2V，測試點(diǎn)數(shù)為 10000。Y 軸坐標(biāo)范圍為-50m~+50m，正向?qū)ㄌ匦浴?/p>