應對大電流場景的“法寶”，維安TOLL MOSFET優(yōu)勢講解由一級代理商KOYUELEC光與電子，為您提供技術交流和產品供應鏈服務，歡迎硬件設計研發(fā)前來交流，謝謝！

維安TOLL封裝的功率MOSFET是用于大電流應用場景，最優(yōu)化的封裝。其產品系列最大電流可達300A以上，主要應用于類似動力BMS、逆變儲能、低速電動車、電動工具、無人機電調、潛航器電機等大電流應用場景。

TOLL 封裝的占位面積僅為9.90 mm x 11.68 mm，與 TO-263-7L封裝相比，PCB 面積可節(jié)省 30%。它的外形僅為2.30 毫米，占用的體積比TO-263-7L封裝小 60%。

除了尺寸更小外，TOLL 封裝還提供比 TO-263-7引線更好的熱性能和更低的封裝電感(2 nH)。其開爾文源配置確保更低的柵極噪聲和開關損耗，與沒有開爾文配置的器件相比，包括開啟損耗 (EON) 降低 60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設計中顯著提高能效和功率密度，改善電磁干擾(EMI) 并更容易進行PCB 設計。

TOLL封裝產品特點：

● 小管腳, 低剖面

●超大通流能力

●超小的寄生電感

●大的焊接面積

TOLL封裝產品優(yōu)勢：

●高效率和低系統(tǒng)成本

●更少的并聯(lián)數(shù)量和冷卻需求

●高功率密度

●優(yōu)秀的EMI性能

●高可靠性

TOLL 與TO-263-7L外觀對比

30% footprint reduction !

50% height reduction !

60% space reduction !

TOLL封裝與TO-263-7L封裝的寄生參數(shù)對比

維安TOLL封裝量產產品系列

維安TOLL封裝產品規(guī)劃

維安TOLL封裝產品的優(yōu)勢介紹

較高的功率密度

新能源產品（新能源汽車、儲能及配套應用）與大功率電源及電機的快速發(fā)展，對產品能效要求進一步提高，MOS管需要承受瞬間高能量通過，并需要在有限的材料物理散熱極限內，達到最高散熱率與最低的熱阻，在這一極限條件下，TOLL封裝超低導通阻抗和寄生電感、以及更出色的EMI表現(xiàn)和熱性能正好滿足這一發(fā)展趨勢要求，其次TOLL封裝實際電路設計應用中所需的并聯(lián)和散熱部件較少，可以節(jié)省PCB空間，從而提高整體可靠性

較低的溫升

BMS應用中，在承受持續(xù)大電流充放電的過程中，MOSFET的溫度表現(xiàn)對于系統(tǒng)的整體效率和溫度至關重要，TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），在26℃環(huán)境溫度下，通過持續(xù)40A過流能力考驗：

通過PCB散熱，溫升僅為61℃；

通過鋁基板散熱，溫升僅為32℃。

較高的短路耐量

BMS和電機控制的應用中，MOSFET在短路瞬間，會承受短時間幾十uS~幾百mS的大電流沖擊，瞬態(tài)功率高達上百KW，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在電機高速旋轉中遇到搭接短路時的功率表現(xiàn)。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗

單體短路，VDD=88V 短路最大電流1550A，最大耗散功率101.5KW。

強壯持續(xù)線性工作模式

在線性模式下，MOSFET在飽和狀態(tài)或飽和區(qū)域中工作，它表現(xiàn)為柵極電壓控制的電流源，與完全導通（或完全增強）的情況相反，MOSFET在線性模式下的漏極-源極阻抗相對較高，因而功耗也比較高。在線性模式下，功率等于漏極電流與漏極-源極電壓的乘積(ID × VDS)，兩者數(shù)值都比較高，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在接近直流操作的長脈沖時間測試MOSFET線性模式魯棒性，產品在線性模式工作條件下的功率能力，均在理論安全工作區(qū) (SOA) 范圍內，防止器件出現(xiàn)任何熱失控。

超強的電機重載驅動能力

3000W大功率72V電機系統(tǒng)，對于MOSFET器件帶載能力要求苛刻，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），6管橋臂MOSFET驅動，上下兩兩交叉導通，導通時一管保持開啟，一管為PWM調制信號，根據PWM占空比的大小來調整輸出電流的大小。

下圖：拉載感性負載，示波器波形1CH:上橋臂Vgs 2CH:上橋臂Vds

六顆MOS拉載72V 42A ，3000W直流無刷電機負載。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH：Ids M1:MOS功耗；

上橋臂MOS能夠承受103V，1300A瞬時功率沖擊。

審核編輯 黃宇