結(jié)點(diǎn)溫度的計(jì)算方法1：根據(jù)周圍溫度（基本）

結(jié)點(diǎn)溫度（或通道溫度）可根據(jù)周圍溫度和功耗計(jì)算。根據(jù)熱電阻的思考方法，

Tj=Ta+Rth（j-a）×P

Ta：周圍溫度（測(cè)量的房間室溫）Rth（j-a）： 結(jié) - 大氣之間的熱阻P：

功耗**Rth（j-a）：結(jié)點(diǎn)-環(huán)境間的熱電阻根據(jù)貼裝的電路板的不同而不同。

向敝公司標(biāo)準(zhǔn)的電路板上貼裝時(shí)的值表示為 “代表性封裝的電阻值” 。

Rth（j-a）的值根據(jù)各個(gè)晶體管的不同而不同，但如果封裝相同，可以認(rèn)為該值幾乎是很接近的值。

**功耗不固定，時(shí)間變化時(shí)按照平均功耗近似計(jì)算。

（平均功耗的求法請(qǐng)參照 “晶體管可否使用的判定方法” ）

下圖顯示了Rth（j-a）是250oC/W、周圍溫度是25oC時(shí)的功耗和結(jié)點(diǎn)溫度的關(guān)系。

結(jié)點(diǎn)溫度和功耗成比例上升。這時(shí)的比例常數(shù)是Rth（j-a）。Rth（j-a）是250oC/W，

所以功耗每上升0.1W結(jié)點(diǎn)溫度上升25oC。

功耗是0.5W時(shí)結(jié)點(diǎn)溫度是150oC，所以這個(gè)例子中功耗不能超過(guò)0.5W。

另外，Rth（j-a）同樣是250oC/W，要考慮周圍溫度的變化。

即，即使施加相同的功率，周圍溫度上升時(shí)結(jié)點(diǎn)溫度也相應(yīng)上升，所以能夠施加的功率變小。

不僅熱電阻，周圍溫度也會(huì)影響最大功耗。周圍溫度150°C時(shí)能夠施加的功率為零，所以

100% ÷ （150°C-25°C）＝0.8%/°C

可以得知上述比例下的最大功耗變小。

下面的功率降低曲線表示出了該關(guān)系。

功率降低曲線的降低率是用百分比表示的，所以可適用于所有封裝。

例如，MPT3封裝25oC時(shí)的最大施加功率是0.5W，0.8%/oC的比例下可施加的功率變小，

50oC時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的80%（降低20%）即0.4W，100oC時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的40%（降低60%）即0.2W。