適合高級汽車市場ADAS應(yīng)用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY，其工作溫度高達(dá)125°C，具有 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓范圍和串行外設(shè)接口（SPI）。

這款FeRAM產(chǎn)品是先進(jìn)汽車市場中需要低功耗操作電子元件（如ADAS）的電子控制單元的理想選擇。

MB85RS2MLY 8 針 DFN

應(yīng)用示例（ADAS）

8引腳DFN和8引腳SOP封裝

FeRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM 已被對傳統(tǒng)非易失性存儲器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。

自2017年以來，富士通一直提供64Kbit至2Mbit汽車級FeRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品在3.3V或5V電源下工作溫度高達(dá)125°C。

然而，一些客戶要求FeRAM可以在低于1.8V的電壓下工作，如1.7V，特別是對于需要低功耗電子元件的高級汽車電子控制單元。我們很高興的告訴大家，2Mbit FeRAM產(chǎn)品MB85RS2MLY就可滿足這一要求。

MB85RS2MLY 在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對于某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的。例如，如果連續(xù) 10 年每天每 0.1 秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)超過 30 億次。

此外，該產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100 1級，這是稱為“汽車級”的產(chǎn)品的資格要求。因此，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看，MB85RS2MLY保證可用于需要實時數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用。

MB85RS2MLY采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有 EEPROM。此外，還提供尺寸為 5.0 x 6.0 x 0.9mm 的 8 引腳 DFN（雙扁平無引線）封裝。

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司將繼續(xù)提供存儲器產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場和客戶的未來需求和要求。

MB85RS2MLY的主要規(guī)格

部件號	MB85RS2MLY
密度（配置）	2 兆字節(jié) （256K x 8 位）
接口	SPI（串行外設(shè)接口）
工作頻率	最大 50MHz
工作電壓	1.7V 至 1.95V
工作溫度范圍	-40°C 至 +125°C
讀/寫耐久性	10萬億次（1013倍）
包裝	8 引腳 SOP，8 引腳 DFN
資質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)	符合 AEC-Q100 1 級標(biāo)準(zhǔn)

審核編輯：劉清

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