一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS管原理、選型及應(yīng)用

machao1680 ? 來源:電子設(shè)計寶典 ? 2023-04-12 09:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、原理介紹

09fb3c0a-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。

上圖NMOS管是壓控型器件,VGS電壓大于開啟電壓時,內(nèi)部溝道在場強(qiáng)的作用下導(dǎo)通,Vgs電壓小于開啟電壓時,內(nèi)部溝道截止;

Vgs電壓越高,內(nèi)部場強(qiáng)越大,導(dǎo)通程度越高,導(dǎo)通電阻Ron越小,注意,Vgs電壓不能超過芯片允許的極限電壓;NMOS管一般作為低端驅(qū)動器件,源級S接地。

例如:IRLML2502TRPBF 開啟電壓在0.6V ~ 1.2V,但是在4.5V的時候才飽和導(dǎo)通,所以在驅(qū)動的時候3.3V的CPU,IO可直接驅(qū)動就有可能出現(xiàn)問題。

2、(保護(hù))寄生二極管

使用時,要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如,電源接反時,源級S接到了電源正極,此時通過內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通,如果電源輸入沒有反接保護(hù),NOMS管有可能燒毀。

2、輸入輸出電容

使用時,要特別注意GS管腳的等效電容Cgs,控制NMOS管的導(dǎo)通與截止,本質(zhì)上是控制Cgs電容的充放電(但這個電容一般比較?。?;

如果要求NMOS快速導(dǎo)通與截止(高頻時影響較大,IRLML2502TRPBF的,VGS電容為740PF),此時需要驅(qū)動源能夠提供足夠大的驅(qū)動電流,以提供Cgs電容的瞬間充放電;

如果僅僅作為開關(guān)使用,可以串電阻,此時,對驅(qū)動源的要求就不高,單片機(jī)的IO口(推挽輸出時,可以提供20mA的驅(qū)動電流)可以直接驅(qū)動。

三、選型

1、常用NMOS型號: SI2312DS、BSS138LT1G、BSH103、CSD17313Q2、IRFR4104TRPBF、IRFS23N20DPBF、IRFS4127TRLPBF、IRFS4229PBF、IRLHM620PBF、IRLML2502TRPBF等,型號很多,可以根據(jù)需求合理選擇;

2、選型依據(jù)

①、Ids電流,導(dǎo)通電阻Ron越小,允許的Ids越大;

②、開關(guān)速率,詳看手冊的打開、保持、關(guān)閉時間;

③、Vgs開啟電壓,驅(qū)動電壓,極限電壓;

④、Vds極限電壓;

⑤、封裝尺寸;

四、常用實例

1、單片機(jī)內(nèi)部IO口

推挽輸出電路

0a0af820-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

PMOS低電平導(dǎo)通,NMOS低電平截止 輸出高電平

PMOS高電平截止,NMOS高電平導(dǎo)通,輸出低電平

開漏輸出電路

0a214774-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

開漏輸出一般應(yīng)用在I2C、SMBUS 通訊等需要“線與”功能的總線電路中。除此之外,還用在電平不匹配的場合,如需要輸出5 伏的高電平,就可以在外部接一個上拉電阻,上拉電源為5 伏,并且把GPIO 設(shè)置為開漏模式,當(dāng)輸出高阻態(tài)時,由上拉電阻和電源向外輸出5 伏的電平,只要電流夠,就可以驅(qū)動繼電器等。

2、IC內(nèi)部集成電路

0a3acece-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

上圖 CD4001 IC內(nèi)部電路介紹一下,左側(cè)的其實就是推挽輸出電路對吧,其實也就是一個反向器,對應(yīng)符號右側(cè)的兩個符號,那么上圖8-2推挽輸出電路和此電路是一樣的就可以認(rèn)為:反向的反向就是同向輸出邏輯器件了,這也是非常常用的邏輯電路,另外所有輸入均采用CMOS保護(hù)網(wǎng)絡(luò) 管腳對電源和對地加二極管保護(hù)。

0a4d970c-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

另外:看一下上圖SRAM的電路,也都是MOS管組成的,反向器,鎖存器,存儲1位數(shù)據(jù),原理都是一樣P1,P2,N1,N2,就是下面的兩個交叉的推挽輸出電路,等效兩個相互連接的反向器。

0a6a7fac-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

4、防反接電路

0a849018-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

0a9971f4-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

設(shè)計說明:上圖我就自手繪涂抹了一下(兼職美工)。

1、巧妙利用內(nèi)部(寄生)保護(hù)二極管。上電時,VIN上正下負(fù),通過內(nèi)部保護(hù)二極管,Vgs電壓大于Vth電壓,NMOS管完全導(dǎo)通;

2、R11,R12:電阻分壓,調(diào)整Vgs電壓,Vgs電壓盡量大,這樣,Ron越小,壓降越小,損耗越低;設(shè)輸入12V,控制VGS電壓:5V~6V,那么R11:5.6K R12:5.1K,可以正常導(dǎo)通。

3、穩(wěn)壓二極管,防止Vgs電壓超過極限電壓,選型時參照NMOS器件數(shù)據(jù)手冊啟動電壓選擇,5.1V,或12V的穩(wěn)壓管。

4、當(dāng)電源接反時,下正上負(fù),NMOS不導(dǎo)通,有效保護(hù)后級電路。

0aabbf26-d8ce-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

5、學(xué)以致用,上圖所示為PMOS管的防反接電路,原理相同的,就不再介紹。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    10099

    瀏覽量

    171588
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    109

    文章

    2625

    瀏覽量

    70732
  • 正極
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    53

    瀏覽量

    10568

原文標(biāo)題:MOS管原理、選型及應(yīng)用

文章出處:【微信號:電子設(shè)計寶典,微信公眾號:電子設(shè)計寶典】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MOS選型。

    我這里有個MOS選型表,大家可以參考下。
    發(fā)表于 12-20 16:16

    MOS選型的問題。

    想請教大家一下MOS的問題,原來產(chǎn)品上使用一個IRF4905S的MOS,現(xiàn)在想用其他的替代。設(shè)計要求是120℃的環(huán)境下,最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個相近的,不知道適不適合,
    發(fā)表于 10-12 20:16

    MOS選型

    問題(1)流過MOS的瞬時電流就是60乘以5為300A嗎?(2)給MOS選型,看到的DATASHEET中有兩個參數(shù),Id(連續(xù)工作電流)
    發(fā)表于 08-18 13:50

    只需7步,秒懂MOS選型!

    本文對常用的增強(qiáng)型MOS選型做了詳細(xì)的講解,相信很多電子工程師對這方面有疑惑的看了之后,會讓你對MOS
    發(fā)表于 03-02 13:37

    鋰電池保護(hù)板MOS選型

    鋰電池保護(hù)板MOS選型鋰電池幾乎應(yīng)用于我們?nèi)粘=佑|到的各類電器之中,但如何保護(hù)鋰電池,其實在鋰電池保護(hù)板,最主要的元器件是IC與MOS。MOS
    發(fā)表于 09-14 06:54

    MOS選型相關(guān)資料下載

    MOS選型,趕緊看過來
    發(fā)表于 10-29 07:48

    MOS選型注重的參數(shù)

    一、MOS選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力;2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制;3、開關(guān)頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開關(guān)瞬間的耗散功率
    發(fā)表于 11-16 09:06

    MOS選型及測量

    從圖中需要注意的是,MOS是電壓控制型器件,是電壓控制電流大小的器件,穩(wěn)定工作在恒流區(qū),其也是半導(dǎo)體材料制成,那元器件好壞怎么測量?
    發(fā)表于 04-04 14:30 ?3257次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>選型</b>及測量

    大功率MOS選型手冊及可申請樣品-KIA MOS

    選型最近在推MOS的過程中,遇到一些問題,最主要的是一個品牌交換參數(shù)的對應(yīng)問題,很多時分我們只關(guān)注了電流電壓
    發(fā)表于 11-07 12:05 ?22次下載
    大功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>選型</b>手冊及可申請樣品-KIA <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    推薦選型-不間斷電源UPS領(lǐng)域MOS選型-KIA MOS

    不間斷電源-UPS(MOS選型)一、UPS不間斷電源就是指能將電瓶與服務(wù)器相互連接,根據(jù)服務(wù)器逆變電源等控制模塊電源電路將交流電轉(zhuǎn)化成電壓的系統(tǒng)軟件機(jī)器設(shè)備,能夠確保計算機(jī)軟件在斷電以后再次工作中
    發(fā)表于 11-08 20:06 ?11次下載
    推薦<b class='flag-5'>選型</b>-不間斷電源UPS領(lǐng)域<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>選型</b>-KIA <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    MOS選型注重的參數(shù)及使用注意事項-KIA MOS

    一、MOS選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力;2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制;3、開關(guān)頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開關(guān)瞬間的耗散功率
    發(fā)表于 11-09 13:51 ?41次下載
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>選型</b>注重的參數(shù)及使用注意事項-KIA <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    MOS基礎(chǔ)及選型指南

    和普通雙極型晶體相比,MOS具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢,在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 02-02 14:11 ?3577次閱讀

    低功耗mos選型技巧 mos的封裝類型分析

    隨著電子設(shè)備向小型化和節(jié)能化發(fā)展,低功耗MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)在電源管理、信號處理等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。 低功耗MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-15 14:16 ?1465次閱讀

    MOS選型的問題

    MOS選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時需結(jié)合電路設(shè)計、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!安恢?b class='flag-5'>MOS
    的頭像 發(fā)表于 02-17 10:50 ?686次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>選型</b>的問題

    MOS選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

    在電力電子設(shè)計中,MOS選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸,直接損失50萬元。本文以真實案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析
    的頭像 發(fā)表于 03-04 12:01 ?489次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>選型</b>十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD