從去年下半年以來，因為智能手機(jī)和PC的不景氣，存儲市場遭受了暴擊，包括鎧俠在內(nèi)的全球領(lǐng)先的存儲供應(yīng)商也都相應(yīng)下調(diào)了產(chǎn)能，以應(yīng)對這波下行周期帶來的不確定性。

然而，據(jù)鎧俠CTO柳茂知在早前舉辦的中國閃存市場峰會（CFMS）的相關(guān)采訪中介紹，存儲市場有望在今年下半年復(fù)蘇。鎧俠電子（中國）有限公司董事長兼總裁岡本成之更是在峰會的演講中直言：“雖然目前存儲市場面臨很嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，但是我們對中國市場的長期發(fā)展充滿信心，我們鎧俠為中國市場的發(fā)展繼續(xù)貢獻(xiàn)力量?！?/p>

為了抓住這波機(jī)遇，鎧俠已經(jīng)做好了充分的準(zhǔn)備。

夯實的技術(shù)基礎(chǔ)

眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。

這讓公司擁有足夠的實力打造高容量、低成本存儲解決方案的應(yīng)用。

鎧俠QLC技術(shù)實現(xiàn)單一封裝的最高容量閃存

日前，公司更是與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合宣布，成功推出了業(yè)界最高位密度的第八代BiCS FLASH——218層的3D閃存。

鎧俠方面表示，通過引入各種獨特的工藝與架構(gòu)，公司了實現(xiàn)存儲顆粒持續(xù)的橫向微縮，同時還降低了成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中也產(chǎn)生了更大的容量，在優(yōu)化成本的同時減少了層數(shù)。

“兩家公司還開發(fā)了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術(shù)，其中CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優(yōu)化狀態(tài)下單獨制造，然后鍵合在一起，以提供更高的千兆字節(jié)(GB)密度和快速NAND I/O速度?！辨z俠方面強(qiáng)調(diào)。

按照鎧俠所說，公司新推出的218層3D閃存采用的創(chuàng)新橫向微縮技術(shù)為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s，比上一代產(chǎn)品提高了60%，同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%，將加速用戶的整體性能、可用性。

熟悉存儲產(chǎn)業(yè)的讀者應(yīng)該知道，現(xiàn)在為了持續(xù)增加存儲的密度，幾大存儲芯片供應(yīng)商除了在“方寸”的空間上搭高樓，芯片的密度也是大家關(guān)注的交代。如是，對于存儲技術(shù)未來如何發(fā)展，不同的廠商有著不同的觀點。

針對這個問題，柳茂知先生回應(yīng)道：“我們對存儲產(chǎn)品有著高容量、低成本和高性能這三個方面的需求，而為了達(dá)到這個目的，我們不但要繼續(xù)提高3D memory的層數(shù)以外，縮小‘洞’之間的間距。與此同時，縮小die面積也是我們發(fā)力的方向之一?！?/p>

柳茂之先生進(jìn)一步指出，從目前的技術(shù)現(xiàn)狀看來，3D NAND Flash繼續(xù)增加層數(shù)是可行的，擴(kuò)展到500層也是能實現(xiàn)的。隨著層數(shù)的增加，單位存儲的成本也會相應(yīng)降低。但對500層以后的技術(shù)和成本走勢，柳茂之表示目前很難預(yù)估。

但可以肯定的是，基于這些領(lǐng)先的底層技術(shù)，鎧俠已經(jīng)打造了一系列備受好評的SSD產(chǎn)品。

廣泛的產(chǎn)品布局

作為在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）領(lǐng)域引領(lǐng)技術(shù)潮流的品牌，鎧俠一直為移動計算、云端、邊緣、數(shù)據(jù)中心和車載等領(lǐng)域提供高性能產(chǎn)品和服務(wù)，產(chǎn)品線包含NAND閃存、eMMC/UFS、SSD以及與SSD配套的軟件解決方案，并占據(jù)了世界閃存產(chǎn)能的大約30%。

在本次CFMS大會上，鎧俠更是推出了極具前瞻意義的全新產(chǎn)品——第二代 XL-FLASH。

據(jù)介紹，XL-FLASH存儲級內(nèi)存（SCM）是一種介于內(nèi)存（DRAM）與固態(tài)硬盤（SSD）之間的非易失性存儲，能夠幫助數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器實現(xiàn)高吞吐量、低延遲和高可靠性的存儲性能。早在2021年，鎧俠就發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品FL6系列SCM固態(tài)硬盤。而新一代的XL-FLASH是一款具備。

而在這一代的全新產(chǎn)品上，鎧俠則首次采用了MLC技術(shù)，能夠幫助SCM級存儲進(jìn)一步降低成本。不僅如此，下一代SCM產(chǎn)品順序讀取速度將提升118%，順序速度寫入提升56%，隨機(jī)讀寫速度更是分別提升100%和165%，讀取響應(yīng)時間則進(jìn)一步縮短7%。

針對現(xiàn)在越來越火爆的云端應(yīng)用，鎧俠也推出了面向云端應(yīng)用的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤。并且在現(xiàn)場展示了鎧俠CD8系列，它能夠在成本和性能之間取得平衡，立足于PCIe 4.0和NVMe1.4規(guī)范，最高提供了7200MB/s讀取速度和1250K IOPS隨機(jī)讀取速度，還提供了混合寫入密集型（3DWPD耐久度、最高12.8TB容量）和讀取密集型（1DWPD耐久度和15.36TB）兩個版本。為了保證數(shù)據(jù)的安全性，鎧俠CD8還具備即時擦除（SIE）、自加密驅(qū)動器（SED）以及斷電保護(hù)（PLP）等多種安全技術(shù)。

“采用PCIe 5.0技術(shù)設(shè)計版本的CD8也將性能向上提升了一步。相比第一代PCIe 5.0產(chǎn)品，CD8能帶來14%以上的提升，并符合OCP DataCenter NVMe SSD 2.0 和 NVMe 1.4規(guī)格?！辨z俠方面強(qiáng)調(diào)。

緊接著，CD8系列的性能提升型產(chǎn)品也蓄勢待發(fā)，它同樣采用PCIe 5.0技術(shù)設(shè)計，支持PCIe 5.0和NVMe 2.0，順序讀取和隨機(jī)讀取性能將更進(jìn)一步提升。新產(chǎn)品將同時提供2.5英寸和EDSFF E3.S可選，容量可達(dá)15.36TB，具備斷電保護(hù)（PLP）和端對端數(shù)據(jù)校正等功能，以滿足豐富的應(yīng)用場景。

針對人工智能領(lǐng)域的需求，鎧俠推出了采用雙端口24Gb/s SAS的鎧俠PM7系列。它的單盤容量可達(dá)30.72TB，隨機(jī)讀寫表現(xiàn)都非常優(yōu)秀。雙端口SAS設(shè)計能夠有效防止主機(jī)端單點故障，構(gòu)建更加可靠的系統(tǒng)，能夠滿足人工智能應(yīng)用的更多需求。

鎧俠還帶來了更多針對特定應(yīng)用場景的解決方案，比如支持雙端口NVMe技術(shù)設(shè)備的CM7，它提供了2.5英寸和E3.S規(guī)范，最大容量可達(dá)30.72TB，可以滿足Tier 0計算；還有針對開放計算項目（OCP）設(shè)計的XD7P系列，能夠提供TCG Opal SSC SED安全選項；而BG5、XG8系列則可以為消費端產(chǎn)品提供輕薄的外形和強(qiáng)大的性能。

“如何降低存儲成本同樣是鎧俠關(guān)注的重點，通過研發(fā)團(tuán)隊的不斷努力，我們下一代QLC SSD的順序讀取性能將與TLC SSD相當(dāng)，并且隨機(jī)讀取性能更可達(dá)TLC SSD的75%。目前QLC SSD已經(jīng)具備了推向企業(yè)級市場的條件，適合注重讀取的應(yīng)用場景。”鎧俠強(qiáng)調(diào)。

面向未來的服務(wù)器需求，提供更多算力，鎧俠也積極與合作伙伴共同推進(jìn)CXL+FLASH應(yīng)用方案落地，讓服務(wù)器擁有更高效的數(shù)據(jù)存儲性能。

總而言之，如鎧俠所說，公司的宗旨是將憑借行業(yè)領(lǐng)先的存儲技術(shù)和產(chǎn)能，繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展潮流，不斷賦能人工智能、云計算、智能汽車等新經(jīng)濟(jì)增長點，和行業(yè)伙伴一起構(gòu)建存儲以及科技更加美好的未來。

審核編輯 ：李倩