肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點，廣泛用于開關(guān)電源及功率變換器中。

肖特基二極管制造工藝有臺面、平面及平面加保護環(huán)三種工藝。采用保護環(huán)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)如圖所示。

管芯縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)：

(1)外延層選取：肖特基二極管反向擊穿電壓VBR、結(jié)電容Cj、正向壓降VF都與外延層電阻率及厚度相關(guān)。外延層電阻率選取的原則在滿足擊穿電壓VBR的同時要滿足結(jié)電容的要求，由于肖特基器件通常采用高阻材料，擊穿電壓VBR容易滿足要求，主要以結(jié)電容來選取電阻率，式中A為p+環(huán)與勢壘結(jié)總面積;ND為外延層雜質(zhì)濃度;Vbi為自建電勢;V為外加電壓。

外延層厚度=氧化時的損耗+ p+環(huán)結(jié)深 + p+環(huán)在最高反壓下的勢壘擴展 + 余量。

(2)勢壘金屬選用：對于n型Si，可用作肖特基勢壘接觸的金屬有Ti、Ni、Al、Pt、W、Mo、Au等。為了減小肖特基勢壘結(jié)退化及失效，在高溫處理后肖特基勢壘特性保持穩(wěn)定，勢壘金屬應選用Mo、Pt、Ti等耐熔金屬。勢壘金屬決定了肖特基勢壘高度φBn，與勢壘高度相關(guān)的電參數(shù)有正向壓降及反向漏電流。

①正向電流密度

②反向電流密度

(3)勢壘降低效應的考慮