2023年3月2日，特斯拉宣布下一代平臺將減少75%的碳化硅用量，引發(fā)市場對碳化硅應用前景的擔憂，全球碳化硅相關股票當日均應聲下跌。不過很快市場意識到這并非碳化硅行業(yè)的利空，相關板塊股價出現(xiàn)反彈。截至4月14日，ST、安森美、天岳先進等公司已基本恢復3月2日前的股價水平。

本篇研究報告將從特斯拉減少碳化硅用量出發(fā)剖析碳化硅行業(yè)的新趨勢，并提出其對碳化硅投資的新啟示。

一代材料一代應用，碳化硅材料方興未艾

碳化硅（Silicone Carbide, SiC）作為第三代半導體材料，相較于硅材料等前兩代半導體材料，其禁帶寬度更大，在擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數(shù)方面有顯著優(yōu)勢。因此，碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料，具有高效率、開關速度快等性能優(yōu)勢，能大幅降低產(chǎn)品能耗、提升能量轉(zhuǎn)換效率并縮小產(chǎn)品體積，完美契合碳中和時代的應用需求。

目前，碳化硅器件可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、風力發(fā)電、軌道交通、5G通信等領域，是半導體材料領域中前景最廣闊的材料之一。

其中，在新能源汽車領域，碳化硅器件主要用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC和充電樁。2017年，特斯拉率先在其Model3車型上使用碳化硅器件，以簡化供電網(wǎng)絡、減少逆變體積和重量、降低損耗并提高汽車續(xù)航。在特斯拉的帶領下，國內(nèi)外各大車企紛紛發(fā)布碳化硅上車計劃，新能源汽車逐漸成為碳化硅器件最大的終端應用市場。此外，為解決里程問題，800V高壓快充平臺成為新一代解決方案，國內(nèi)外車廠也相繼掀起一輪800V平臺車型發(fā)布潮。

3月2日，特斯拉宣布其下一代平臺將減少75%的碳化硅用量，在市場短暫的情緒波動后，業(yè)界普遍認為這是特斯拉在碳化硅技術方面的一次迭代升級，我們匯總了幾類可能的實現(xiàn)路徑如下：

特斯拉有可能在下一代平臺中升級為800V架構(gòu)，那么相較于現(xiàn)有的400V架構(gòu)，特斯拉理論上可以減少50%的器件用量；

溝槽型MOSFET替代平面型MOSFET，碳化硅器件的面積可以相應減少；

平面型MOSFET的迭代升級，器件面積減少、穩(wěn)定性提高；

新模塊封裝技術可以提升器件電壓和模塊功率，減少碳化硅器件用量。

盡管我們并不清楚特斯拉具體采取了哪種實現(xiàn)路徑，但可以肯定的是，特斯拉減少碳化硅用量是由技術進步而非退步帶來的，實際上，碳化硅在光伏儲能、工業(yè)、軌交、電網(wǎng)等更多領域的大規(guī)模應用一直受制于其高企的成本，特斯拉帶領的技術革新或?qū)⒋蜷_碳化硅普及化的閘門，使其在更大范圍內(nèi)替代硅基IGBT。

因此，我們認為碳化硅器件的競爭在未來相當長一段時間內(nèi)仍將取決于企業(yè)的技術能力而非資本實力。實際上，全球碳化硅器件市場格局長期以來一直由海外巨頭主導。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅功率器件市場份額由海外巨頭意法半導體、Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機、安森美等廠商壟斷，全球TOP6占據(jù)99%的市場份額。

襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈最關鍵的一環(huán)

供需高度緊張?zhí)蓟杵骷谱鬟^程可分為襯底加工、外延生長、器件設計、制造、封裝等環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈存在較為顯著的價值量倒掛現(xiàn)象，其中襯底制造技術壁壘最高、價值量最大。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底約占碳化硅器件成本的47%。而對于硅基器件來說，晶圓制造占據(jù) 50%的成本，硅片襯底僅占據(jù)7%的成本。

碳化硅襯底按照下游應用可分為半絕緣型襯底和導電型碳化硅襯底。半絕緣型襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件，而導電型碳化硅襯底主要應用于制造各類功率器件。

從競爭格局上看，目前國內(nèi)企業(yè)在半絕緣型襯底領域已經(jīng)成為全球重要供應力量，天岳先進已經(jīng)占據(jù)全球30%的半絕緣型襯底市場。但在導電型襯底領域，Cree一家就供應了全球62%的導電型襯底，前三名壟斷了90%的市場，國內(nèi)企業(yè)相較于海外龍頭還有較大差距。

目前襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈最關鍵的一環(huán)，全球碳化硅襯底目前正面臨極度的供不應求。事實上，我們認為這也是特斯拉不得不尋求減少碳化硅用量的直接原因。如果按照1片6寸襯底供給2輛新能源汽車來計算，那么2022年特斯拉130萬輛的產(chǎn)銷就需要65萬片6寸碳化硅襯底，同期全球碳化硅襯底產(chǎn)能不過80-100萬片?？紤]到一部分襯底只能用來做工規(guī)級產(chǎn)品，那么目前全球產(chǎn)能也只能勉強滿足特斯拉一家車企的需求。而特斯拉計劃2030年實現(xiàn)2000萬輛的年產(chǎn)能，相當于1000萬片的襯底需求，這需要全球襯底產(chǎn)能擴大10倍以上。

即使考慮到單車碳化硅用量可能的減少，根據(jù)云岫資本測算，到2027年，全球車載碳化硅襯底需求量仍會突破650萬片，其中中國市場需求也將突破240萬片，當前產(chǎn)能仍有6倍缺口。

碳化硅襯底技術壁壘極高，并且仍在不斷迭代

碳化硅長晶難度高

地球上沒有天然的碳化硅，其最早是在1824年由瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的實驗中意外發(fā)現(xiàn)的，但當時并沒有引起足夠的關注。1959年，荷蘭科學家Levy提出了一種升華生長單晶的方法，在石墨坩堝中放入碳化硅粉末并在保護性氣體中加熱至2500℃，升華的氣體在低溫處結(jié)晶可完成晶體生長。但碳化硅存在200多種晶型，這種方法并不能控制特定單一晶型的碳化硅晶體生長，因此并沒有推動碳化硅產(chǎn)業(yè)突破性發(fā)展。

1978年，前蘇聯(lián)科學家Tairov在此基礎上提出了物理氣相傳輸法（PVT法）并極大程度推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。該方法在石墨坩堝頂部粘有碳化硅籽晶，通過控制生長溫度、溫度梯度、壓力、碳硅比等參數(shù)可以實現(xiàn)單一晶型的碳化硅晶體生長。但當時生長出來的碳化硅晶體仍然存在尺寸小、缺陷高等問題。之后，Tairov教授的三位學生分別加入美國Cree公司、創(chuàng)辦德國SiCrystal公司（后被Rohm收購）、創(chuàng)辦瑞典Norstel公司（后被ST收購），在20多年的長晶研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化中不斷去迭代工藝，最終才達到當前的產(chǎn)品質(zhì)量。

長晶技術路線仍在不斷迭代

PVT法目前仍然存在一定的局限性。該工藝是在一個封閉系統(tǒng)中完成的長晶過程，其監(jiān)測和控制都具有非常高的難度，尤其像碳硅比等參數(shù)到后期控制難度極大，這也導致目前的碳化硅晶體很難長厚，良率也一直停滯不前。因此，目前碳化硅的長晶路線仍在不斷迭代，業(yè)界主要在兩種新的長晶路線上進行研發(fā)突破。

一種路線是高溫化學氣相沉積法（HTCVD），最早是在1995年由瑞典林雪平大學的Kordina提出，并已由Norstel實現(xiàn)4英寸襯底的量產(chǎn)。這種方法利用氣態(tài)的高純碳源和硅源實現(xiàn)碳化硅晶體生長，生長過程中可以持續(xù)通入氣體，因此可以實現(xiàn)更高的長晶厚度和更精準的碳硅比控制，同時生長速度也高出PVT法一個量級。

另一種路線是液相法（LPE），但是與硅行業(yè)不同的是，碳化硅只有在相當苛刻的高溫高壓條件下才可能呈現(xiàn)液態(tài)，因此目前碳化硅液相法使用的并不是碳化硅溶液，而是在硅溶液中通過金屬助溶劑溶解碳進而長出晶體，但金屬助溶劑的使用會導致晶體殘留金屬雜質(zhì)，不能用于后續(xù)器件的制作，因此液相法目前還處在發(fā)展早期。

下游對襯底要求越來越高

不同下游應用對于碳化硅襯底的要求不盡相同。半絕緣型襯底并不參與器件工作，因此下游客戶僅對其導通電阻存在要求。而導電型襯底需要參與器件工作，下游客戶尤其關注缺陷相關的指標，包括微管密度、位錯密度等。其中，車規(guī)級碳化硅襯底要求最高，需要總位錯密度達到2000以下；而在車用細分場景中，主驅(qū)逆變器采用的MOSFET對襯底要求最高，需要總位錯密度達到1500以下，達到國際龍頭Cree水平。

此外，下游應用場景對于器件電壓等級的要求也在不斷提升。例如，新能源汽車架構(gòu)逐漸向800V演進，對應碳化硅 MOSFET電壓等級也從650V升級到1200V。此外，軌交和電網(wǎng)等新興場景對碳化硅 MOSFET的要求也更高，例如目前高鐵上采用的功率器件主要為3300V-6500V的電壓等級，而電網(wǎng)的要求更是在6500V以上。高電壓等級的碳化硅器件面積更大，單片晶圓可切割的碳化硅器件更少，為了確保器件良率，襯底的缺陷密度需要持續(xù)降低。

當我們在談論碳化硅襯底產(chǎn)能擴張時，很容易將其與長晶爐數(shù)量和資金實力畫等號，而忽略了其背后的技術難度。事實上，對于同樣厚度的碳化硅晶體，有的公司可以切出10余片車規(guī)級碳化硅襯底，而有的公司可能1片也切不出來。

由此可見，碳化硅襯底是一個技術壁壘極深、需要長期積累的行業(yè)，不僅需要過去多年的技術經(jīng)驗積累，還必須具備持續(xù)的技術迭代能力，才能不斷滿足市場的需求。目前來看，碳化硅襯底行業(yè)還是一個技術密集型而非資本密集型產(chǎn)業(yè)，短期巨額資金投入很難形成持續(xù)的技術迭代能力和長久的競爭優(yōu)勢，全球范圍內(nèi)也極少見真正成功的跨界公司，技術實力仍然是未來很長時間內(nèi)市場競爭的決定性因素。

國內(nèi)優(yōu)秀的碳化硅企業(yè)迅速崛起

助力全球碳化硅產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

超芯星是全球領先的大尺寸碳化硅襯底供應商

江蘇超芯星半導體有限公司是國內(nèi)第一家專注于大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的公司。公司團隊源自某國際知名碳化硅襯底公司，曾主導了各尺寸碳化硅襯底的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，成功銷往英飛凌、羅姆等國際一線大廠。目前，超芯星已經(jīng)實現(xiàn)6英寸車規(guī)級碳化硅襯底的量產(chǎn)出貨，8英寸襯底正在同國際頭部器件公司商談供貨計劃。超芯星碳化硅襯底的總位錯密度最低可達560/cm2，產(chǎn)品質(zhì)量比肩國際龍頭Cree。憑借優(yōu)異的產(chǎn)品質(zhì)量和強大的技術迭代能力，目前超芯星是國內(nèi)唯一直接打入多家海外一線器件廠商的襯底公司。為滿足全球市場的旺盛需求，公司正在有序交貨和積極擴產(chǎn)，預計6-8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能未來將提升至150萬片/年。

審核編輯 ：李倩