鈮酸鋰材料具有優(yōu)異的電光、聲光和光學(xué)非線性效應(yīng)，素有光電子時代“光學(xué)硅”的稱號。近年來，薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料平臺受到了廣泛的關(guān)注，基于該平臺的光電子器件庫也得到了快速的發(fā)展。

4月19日-21日，“攀峰聚智 芯動未來”2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會在武漢光谷舉行。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺聯(lián)盟共同主辦。在開幕大會主旨報告環(huán)節(jié)，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授祝世寧分享了薄膜鈮酸鋰的機遇與挑戰(zhàn)。

論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺聯(lián)盟共同主辦。

祝世寧院士在報告中指出，上個世紀80年代,南開大學(xué)與西南技術(shù)物理所合作研究, 發(fā)現(xiàn)摻鎂量大于4.6%mol濃度閾值時，可極大提高抗光折變能力,引起國內(nèi)外學(xué)者廣泛關(guān)注,該晶體也被譽為“中國之星”，這一突破打開了鈮酸鋰晶體在Q-開關(guān)、集成光學(xué)等多個領(lǐng)域中應(yīng)用的新局面。

祝世寧院士表示，薄膜鈮酸鋰光電器件的尺寸大幅度減小, 性能大幅度提升，滿足光電子技術(shù)不斷發(fā)展的需要。

在介紹當前薄膜鈮酸鋰光電器件與集成技術(shù)的最新進展動態(tài)時，祝世寧院士指出，薄膜鈮酸鋰光電器件與集成技術(shù)具有低損耗、易調(diào)控、非線性等特點，為大規(guī)模光子集成創(chuàng)造條件。

“盡管起步很早，光子集成的道路遠遠比電子集成更加坎坷，至今核心材料與技術(shù)路線仍未完全確立，是機遇也是挑戰(zhàn)?！弊Ｊ缹幵菏勘硎?，要發(fā)展和優(yōu)化基于鈮酸鋰薄膜器件獨特的加工與制備技術(shù)。有關(guān)薄膜鈮酸鋰器件與集成的材料工程涉及晶圓級加工、異質(zhì)鍵合技術(shù)、缺陷控制技術(shù)、鐵電疇工程、摻雜技術(shù)、色散工程等。

展望未來，祝世寧院士認為，薄膜LN集成光子學(xué)將很快成為集成光子學(xué)聯(lián)盟中強大的競爭者和不可或缺的參與者，它的多功能性復(fù)雜性和應(yīng)用前景令人期待。

審核編輯 ：李倩