國(guó)產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMISerialSRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
SCLPSRAC1是一種串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備SRAM，存儲(chǔ)器大小為512Kbit。位寬64Kx8位。采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)，提供高速性能和低功耗。使用單一芯片選擇（CSN）輸入進(jìn)行操作，并通過簡(jiǎn)單的串行SPl兼容接口進(jìn)行訪問。一條數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線與一個(gè)時(shí)鐘一起用于訪問設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。包括一個(gè)HOLDN引腳，該引腳允許在不取消選擇設(shè)備的情況下暫停與設(shè)備的通信。暫停時(shí)，除CSN引腳外的輸入轉(zhuǎn)換將被忽略?？稍?40℃至+85℃（工業(yè)級(jí)）的溫度范圍內(nèi)工作，并可采用節(jié)省空間的8引腳TSSOP封裝。更多產(chǎn)品詳情及樣品測(cè)試聯(lián)系英尚微電子。
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審核編輯：湯梓紅
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發(fā)表于 06-12 11:55
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發(fā)表于 03-27 07:16
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發(fā)表于 03-17 17:25
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軟錯(cuò)誤防護(hù)技術(shù)在車規(guī)MCU中應(yīng)用
錯(cuò)誤率超過ISO 26262-5標(biāo)準(zhǔn)中B類隨機(jī)硬件故障要求的100 FIT。
按照512KB SRAM車規(guī)芯片為例，該器件為車規(guī)級(jí)器件，單粒子翻轉(zhuǎn)次數(shù)為：
N= δSEU x C x t x Ф （1
發(fā)表于 12-06 16:39
國(guó)產(chǎn)MCU有推薦嗎?最好是經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證的！
本帖最后由 網(wǎng)卡朋友 于 2024-9-26 16:50 編輯
在電子產(chǎn)品開發(fā)中，微控制器（MCU）是實(shí)現(xiàn)各種功能的核心部件。隨著國(guó)內(nèi)電子技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)MCU開始嶄露頭角，并在
發(fā)表于 09-26 16:38
SRAM和DRAM有什么區(qū)別
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory，簡(jiǎn)稱SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱DRAM）是兩種不同類
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發(fā)表于 09-20 15:17
SRAM中的錯(cuò)誤檢測(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SRAM中的錯(cuò)誤檢測(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-20 11:15
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spi_flash_read在512K以上無(wú)法進(jìn)行4M閃存怎么解決？
我有一個(gè) ESP12。
讀取低于 512k 的閃光燈是成功的，但高于 512k 的閃光燈不能成功。
我確認(rèn)閃光燈是 4M，帶有 esp_tool
esptool.py v1.2-dev
連接
發(fā)表于 07-19 11:59
工商網(wǎng)監(jiān)
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