概述
ME8200-N 是一個(gè)高性能電流模式 PWM 控制器,為中小功率電源設(shè)計(jì)提供了最佳選擇,該芯片能使系統(tǒng)設(shè)計(jì)輕易實(shí)現(xiàn)超低的待機(jī)功耗、優(yōu)良的 EMI 性能、無 Y 電容、無異音的低成本方案,相對(duì)于同領(lǐng)域的其它芯片,
ME8200-N 具有極高的性價(jià)比。ME8200-N 擁有完善的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)(OCP),過載保護(hù)(OLP),欠壓鎖定(UVLO),過壓保護(hù)(OVP)等,以確保系統(tǒng)可靠的工作。
特點(diǎn)
● 超低啟動(dòng)電流
● 降噪功能
● 輕載進(jìn)入綠色模式
● 頻率抖動(dòng)功能
● 過功率補(bǔ)償
●前沿消隱
● 斜坡補(bǔ)償
● 完善的保護(hù):OCP,OLP,UVLO,OVP
應(yīng)用
●適配器
●機(jī)頂盒
●開放式電源
有需要樣品或詳細(xì)資料內(nèi)容可+V:runzexin-18
ME8200-N 是一個(gè)高性能電流模式 PWM 控制器,為中小功率電源設(shè)計(jì)提供了最佳選擇,該芯片能使系統(tǒng)設(shè)計(jì)輕易實(shí)現(xiàn)超低的待機(jī)功耗、優(yōu)良的 EMI 性能、無 Y 電容、無異音的低成本方案,相對(duì)于同領(lǐng)域的其它芯片,ME8200-N 具有極高的性價(jià)比。
啟動(dòng)過程
啟動(dòng)過程中,因?yàn)樾酒O(shè)計(jì)的超低啟動(dòng)電流,VDD通過一大阻值電阻充電,使損耗降到最低。當(dāng) VDD 升到14V 時(shí),芯片內(nèi)部模塊邏輯開始工作,驅(qū)動(dòng)高壓 MOS 開關(guān)。正常工作狀態(tài),輔助繞組上的電壓會(huì)隨著輸出電壓的升高而升高,到一定程度后開始給芯片供電。如果 VDD電壓低于 9V,芯片將自動(dòng)關(guān)閉,重新進(jìn)入啟動(dòng)過程。
頻率設(shè)置
ME8200-N 的 RI 腳外接一電阻連接到地,決定芯片的工作頻率。F=6500/RI。
頻率抖動(dòng)
ME8200-N 集成頻率抖動(dòng)功能,正常工作狀態(tài),芯片工作頻率圍繞中心頻率在±4%的范圍內(nèi)隨機(jī)變化,有效改善系統(tǒng)的 EMI 特性,簡(jiǎn)化系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
深圳市潤(rùn)澤芯電子有限公司為南京微盟一級(jí)代理商。
審核編輯黃宇
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18372瀏覽量
256317 -
控制器
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
17113瀏覽量
184302 -
PWM
+關(guān)注
關(guān)注
116文章
5521瀏覽量
219408
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
OB2365TCPA-H 昂寶電流模式PWM控制器和高壓功率MOSFET
TP1002高性能電流模式PWM/PFM 20W AC-DC控制器中文手冊(cè)
OB2623電流模式PWM控制器英文手冊(cè)
ZS72XGaN高性能PWM+DMOSGaN控制器中文手冊(cè)
ZS826GaN高性能PWM+DMOSGaN控制器中文手冊(cè)
UCC38C42 低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2893 具有 N 通道箝位 FET 和 0.75V CS閾值的110V有源箝位電流模式PWM控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28C43-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 Bicmos 低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

使用UCC2891有源箝位電流模式PWM控制器

【敏矽微ME32G070開發(fā)板免費(fèi)體驗(yàn)】介紹、環(huán)境搭建、工程測(cè)試
敏矽微ME32G070開發(fā)板開發(fā)資料(規(guī)格書、庫和例程)
TPS7H500x-SEP耐輻射2 MHz電流模式PWM控制器

UCC38C42系列高速BiCMOS電流模式PWM控制器

評(píng)論