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STI3470 600kHz、18V、2.0A同步降壓轉(zhuǎn)換器

jf_95732097 ? 來源:jf_95732097 ? 作者:jf_95732097 ? 2023-05-23 12:10 ? 次閱讀
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STI3470是一個完全集成的,高效的2.0A同步整流的降壓變頻器。STI3470在廣泛的輸出電流負載范圍內(nèi)高效工作。該設(shè)備提供了兩種操作模式,PWM控制和PFM模式切換控制,這允許在更廣泛的負載范圍內(nèi)的高效率。STI3470需要最少數(shù)量的現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)外部組件,并可在一個6引腳SOT23ROHS兼容的包.

特點

?高效率:高達94%(@5V)

?600kHz頻率操作

?2.0A輸出電流

?不需要肖特基二極管

?3.5V至18V的輸入電壓范圍

?0.6V參考

?斜面補償電流模式控制為優(yōu)良的線路和負載瞬態(tài)響應(yīng)

?綜合內(nèi)部補償

?穩(wěn)定與低ESR陶瓷輸出電容器

?鉤模式的過電流保護

?輸入過壓保護裝置(OVP)

?熱關(guān)閉

?涌電流限制和軟啟動

?可在SOT23SUB6包中獲得

?40°C至+85°C運行溫度范圍

wKgaomRsPLuAfczFAABalZyG65Y295.png

拓爾微

典型應(yīng)用

●分布式電力系統(tǒng) ●數(shù)字設(shè)置頂盒 ●平板電視和顯示器 ●筆記本型電腦●無線和DSL調(diào)制解調(diào)器

poYBAGRsNtWARBefAABBx5Iwz-0943.png

V:runzexin-18

注1:絕對最大額定值是指超過其后設(shè)備壽命可能受損的值。

注2:TJ根據(jù)環(huán)境溫度TA和功耗PD公式計算公式:TJ=TA+(PD)x(250°C/W)。

注3:在+25°C下進行的100%生產(chǎn)測試。通過設(shè)計和表征,保證了在溫度范圍內(nèi)的規(guī)格。

wKgZomRsPLyAGzHaAACkKJATWFo036.png

產(chǎn)品信息

STI3470是一個電流模式降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,提供優(yōu)秀的瞬態(tài)響應(yīng),沒有額外的外部補償組件。該設(shè)備包含一個內(nèi)部、低電阻、高壓功率的MOSFET,并在高600kHz的工作頻率下運行,以確保緊湊、高效的設(shè)計和優(yōu)異的交流和直流性能。

當(dāng)電感器電流峰值超過設(shè)定的電流限制閾值時,STI3470具有循環(huán)超過電流限制。同時,輸出電壓開始下降,直到FB低于欠電壓(UV)閾值,通常低于參考值30%。一旦紫外線被觸發(fā),STI3470進入打嗝模式,定期重新啟動該部件。當(dāng)輸出對地短路時,這種保護模式特別有用。大大降低了平均短路電流,以緩解了熱問題,保護了調(diào)節(jié)器。一旦去除過電流狀態(tài),STI3470就會退出打嗝模式

poYBAGRsNzSAKu0oAABr7LiybvE937.png

原理框圖

PCB的布局對于實現(xiàn)穩(wěn)定的運行非常重要。強烈建議復(fù)制EVB布局以獲得最佳性能。如有必要進行更改,請按照本指南執(zhí)行,并取圖4作為參考.

?保持開關(guān)電流路徑短,盡量減少輸入電容器、高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET形成的回路面積.

?建議將旁路陶瓷電容器放置在乙烯針附近.

?確保所有的反饋連接都是短而直接的。將反饋電阻和補償組件盡可能靠近芯片。

?VOUT、LX遠離敏感模擬區(qū)域等FB

?分別將IN、LX,特別是GND連接到大銅區(qū),冷卻芯片,提高熱性能和長期可靠性。

pYYBAGRsOT2AV44IAABMEPLdIC8765.png

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該文章僅展現(xiàn)了一部分內(nèi)容 具體可咨詢。

審核編輯:湯梓紅

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