BOSHIDA電源模塊 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) 理解EMI 電磁干擾
能量輻射的問(wèn)題通常被認(rèn)為是相當(dāng)復(fù)雜的,但是導(dǎo)致和消除EMI的基本原理是相對(duì)簡(jiǎn)單的。從根本上說(shuō),只需要認(rèn)識(shí)到由于電流和電壓的快速變化會(huì)產(chǎn)生場(chǎng),這些場(chǎng)可以是磁場(chǎng)或電場(chǎng)。
磁場(chǎng)會(huì)將導(dǎo)體中的變化電流耦合到其他地方而產(chǎn)生感應(yīng)電壓,原理是
e=M*di/dt
其中M是源和受體之間的互感。
類似地,電場(chǎng)將表面上變化的電壓耦合到導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流,原理是
i=C*dv/dt
其中C是將源耦合到受體的電容量。這些方程告訴我們,在導(dǎo)體中電流迅速變化時(shí),將在其他地方產(chǎn)生感應(yīng)電壓。在一個(gè)表面電壓快速變化的地方,也會(huì)因寄生電容引起另一路徑上的電流。
需要注意的是,在上述兩個(gè)噪聲定義的方程中,關(guān)鍵因素是電壓或電流的變化率。對(duì)于開(kāi)關(guān)電源電路,我們實(shí)際上處理的是快速變換的波形(如開(kāi)關(guān)管波形、二極管電壓電流波形等),而這些是高頻諧波的來(lái)源,高頻諧波反過(guò)來(lái)又成為大多數(shù)EMI問(wèn)題的根源。所以,降低所產(chǎn)生的EMI最顯著的方法是減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的速度,但要明白,這可能是一個(gè)折中,因?yàn)闇p慢速度帶來(lái)的就是開(kāi)關(guān)損耗的增加。電源設(shè)計(jì)總是在這兩種性能之間取平衡。
請(qǐng)記住,電磁干擾是一種低能量干擾現(xiàn)象,它只需要極少的能量就能擾亂系統(tǒng)工作,降低系統(tǒng)性能。噪聲限值是用 dBμV 來(lái)表示的。例如,1MHz處的噪聲限值為46dBuV,換算成電壓僅200μV,50Ω的阻抗時(shí),對(duì)應(yīng)感應(yīng)噪聲電流的限值僅為4uA。因此,在實(shí)際情況中,我們經(jīng)常假定某些噪聲源太小而不予以考慮,這就很容易陷入誤區(qū)。
審核編輯黃宇
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