MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢。
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。通過低電壓抑制電路在斷電時自動保護數(shù)據(jù),以防止電壓超出規(guī)格時寫入。是必須永久存儲和快速檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想內(nèi)存解決方案。
采用的封裝44-TSOP、48-BGA與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM有三種類型——MRAM和STT MRAM、xSPI MRAM。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
審核編輯黃宇
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