電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)作為芯片制造過程中的核心設備,光刻機決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)芯片量產的關鍵,但目前EUV光刻機基本由荷蘭阿斯麥(ASML
發(fā)表于 10-17 00:13
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是 ASML 在極紫外光刻(EUV)技術基礎上的革命性升級。通過將光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
發(fā)表于 06-29 06:39
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ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導體行業(yè)領先供應商ASML發(fā)起,是一項面向中國半導體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領域的技術積累與行業(yè)洞察,賽事致力于為參賽者打造一個深度探索光刻技術的知識競技窗口,同時培
發(fā)表于 06-23 17:04
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請問csu34f20的歷程哪里有,請發(fā)到2209453423@qq.com謝謝
發(fā)表于 03-17 16:07
? EUV光刻有多強?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機也是歷史上最復雜、最昂貴的機器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸?
發(fā)表于 02-18 09:31
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億歐元。這一季度的新增訂單金額為71億歐元,其中EUV光刻機訂單占據(jù)了30億歐元,顯示出市場對ASML高端光刻技術的強烈需求。 回顧全年,ASML在2024年實現(xiàn)了283億歐元的凈銷售額,毛利率為51.3%,凈利潤更是高達76億
發(fā)表于 02-10 11:14
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光刻機制造巨頭阿斯麥(ASML)的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱表示,盡管近年來中國在半導體領域取得了顯著進步,但與英特爾、臺積電和三星等行業(yè)巨頭相比, 中國的一些公司仍落后10到15年 。眾所周知
發(fā)表于 02-06 17:39
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本文簡單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關知識,包括其構造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關解決方案。
發(fā)表于 12-27 09:26
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本月底完成。 Rapidus 計劃 2025 年春季使用最先進的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片,于 2027 年開始大規(guī)模生產芯片。 EUV 機器結合了特殊光源、鏡頭和其他技術,可形成超精細電路圖案。該系統(tǒng)體積小,不易受到振動和其他干擾。 ASML 是全球唯一的
發(fā)表于 12-20 13:48
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,維持樂觀的長期收入前景。預期毛利率則更是利好,毛利率高達56%至60%之間。 此外,阿斯麥公司還承諾將增加派息和股票回購。 ASML的CEO??Christophe Fouquet在會議上透露:“ASML有能力將EUV技術擴展
發(fā)表于 11-15 19:48
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科技巨頭在先進半導體制造領域取得重大進步。這項由荷蘭ASML獨家提供的尖端技術對于2nm以下的工藝至關重要。韓國行業(yè)觀察人士預計,三星將加快其1nm芯片商業(yè)化的開發(fā)工作。 ? 每臺High NA EUV
發(fā)表于 10-31 10:56
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英特爾將在日本設立先進半導體研發(fā)中心,配備EUV光刻設備,支持日本半導體設備和材料產業(yè)發(fā)展,增強本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)9月3日報導,美國處理器大廠英特爾已決定與日
發(fā)表于 09-05 10:57
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NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動著存儲技術的進步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細梳理,將全面且深入地介紹其關鍵節(jié)點和重要進展。
發(fā)表于 08-10 16:32
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近日,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)發(fā)布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術。這一創(chuàng)新技術超越了當前半導體制造業(yè)的標準界限,其設計的光刻設備能夠采用更小巧的EUV光源,并且功耗僅為傳
發(fā)表于 08-03 12:45
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1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機,ASML 當?shù)貑T工計劃增至600 人 ? 隨著日本準備進口其首批極紫外(EUV)光刻機,作為唯一技術提供商的ASML計劃大幅增加其當?shù)貑T工。據(jù)日
發(fā)表于 07-24 10:51
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