本參考設(shè)計為離線式(400VDC)、反激LED驅(qū)動器。 該設(shè)計能夠以400mA電流驅(qū)動27只WLED (白光LED)。 安裝跳線J1后，能夠以400mA電流驅(qū)動6只琥珀色LED。 設(shè)計采用MAX16801 HB LED控制器和三繞組變壓器(耦合線圈)。 由于電流檢測信號直接饋入IC控制環(huán)路，所以采用的是非隔離架構(gòu)。

變壓器匝數(shù)比為18:6:1，初級電感為800μH，額定電流為750mA (峰值)，占空比始終小于50%。

工作頻率固定為265kHz，不可調(diào)。 提供120V過壓保護(不閉鎖)，UV檢測電平為310V。 啟動延遲時間大約為43ms，之后，VIN電壓上升到大約22V，IC開始驅(qū)動外部MOSFET。 這將使VIN的電容電壓衰減，直到繞組自舉電壓能夠支持器件的供電。 由于LED在低壓時處于高阻態(tài)，次級繞組的主要負載只是輸出電容。 次級到第三繞組的匝數(shù)比是6:1，這意味著一旦輸出電容的電壓達到60V，自舉繞組將為IC提供10V電源。 對于6只LED串聯(lián)的應(yīng)用(安裝J1)，輸出電容必須在IC獲得10V供電之前充電到10.7V。

在電感繞組初級的峰值電流為750mA，將初級繞組分開，使次級繞組處于二者之間，能夠使變壓器漏感降至最小。 測量到的變壓器初級繞組漏感小于5μH。 如此小的數(shù)值無需采用特殊處理來消除漏感能量； 所有泄漏能量消耗在MOSFET上，變壓器溫升低于30°C。

開關(guān)MOSFET具有隔離層，將其接地有助于散熱，能夠減小承受高速瞬變電壓的覆銅面積，從而降低EMI輻射。 MOSFET的溫升不到40°C。

圖2. LED驅(qū)動器參考設(shè)計原理圖

圖3. LED驅(qū)動器電路板布局

圖4. 變壓器規(guī)格

圖5. 參考設(shè)計BOM

審核編輯：郭婷