據(jù)外媒報道,臺積電作為全球晶圓代工領軍企業(yè),已經(jīng)開始開發(fā)2納米制程,拉大了與競爭對手的差距。最近,臺積電還準備為蘋果和英偉達試產(chǎn)2納米產(chǎn)品,并計劃派遣約1000名研發(fā)人員前往其正在建設中的Fab 20晶圓廠工作。與此同時,三星電子在2022年6月率先采用GAA技術開始量產(chǎn)3納米制程芯片,比臺積電提前6個月,成為全球首家量產(chǎn)該制程技術的企業(yè)。受到三星的沖擊,臺積電高層多次公開表態(tài)加速2納米制程技術的發(fā)展,并形成了先進制程的競賽態(tài)勢。
除了臺積電,曾宣布重新進入晶圓代工業(yè)務的處理器巨頭英特爾也加入了先進制程的研發(fā)競賽。英特爾在6月1日的線上活動中公布了其芯片背面電源解決方案PowerVia的技術發(fā)展、測試數(shù)據(jù)和路線圖,擴大了其在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響力。據(jù)報道,目前臺積電也在開發(fā)芯片背面供電技術,并計劃在2026年實現(xiàn)商業(yè)應用。
此外,英特爾設定了一個目標,即在2024年下半年將其代工技術推進到1.8納米的節(jié)點,并與ARM建立合作伙伴關系,以實現(xiàn)1.8納米制程技術的量產(chǎn)。然而,市場人士對于英特爾未來的挑戰(zhàn)有一些不確定性,即使按照路線圖取得成功,達到收支平衡仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。整體而言,全球芯片代工行業(yè)正迎來先進制程的競爭和發(fā)展。
報道還說明了臺積電另一競爭對手三星的情況,就是三星DS部門總裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演講中表示,三星計劃超越臺積電,目標就是從比臺積電更早使用GAA技術的2納米制程開始。
事實上,臺積電除了先進制程之外,也透過先進封裝技術來維持技術的領先。不久前,臺積電就宣布先進封測六廠啟用正式啟用,成為臺積電首家達成前后端制程 3DFabric 整合一體化自動化先進封測廠和測試服務工廠。同時,也為TSMC-SoIC(系統(tǒng)整合芯片)制程技術的量產(chǎn)做準備。先進封測六廠的啟用,將使臺積電對SoIC、InFO、CoWoS、先進測試等各項TSMC 3DFabric先進封裝與硅堆疊技術,擁有更完整及靈活的產(chǎn)能規(guī)劃之外,也帶來更高的生產(chǎn)良率與效能協(xié)同效應。
臺積電營運/先進封裝技術暨服務、品質暨可靠性副總經(jīng)理何軍表示,微晶片堆棧是提升芯片效能與成本效益的關鍵技術,因應強勁的三度集成電路市場需求,臺積電已完成先進封裝及矽堆疊技術產(chǎn)能的提前部署,透過3DFabric平臺提供技術領先與滿足客戶需求產(chǎn)能,共同實現(xiàn)跨時代科技創(chuàng)新,成為客戶長期信賴的重要伙伴。
據(jù)報道,三星也在迎頭趕上臺積電,計劃從2納米制程開始超越對手。臺積電除了在先進制程方面保持領先地位外,還通過先進封裝技術來增強競爭力。最近,臺積電啟用了先進封測六廠,實現(xiàn)了前后端制程的整合,為TSMC-SoIC制程技術的量產(chǎn)做好準備。這將使得臺積電在SoIC、InFO、CoWoS以及先進測試等方面具備更完整和靈活的產(chǎn)能規(guī)劃,并提高生產(chǎn)良率和效能。
臺積電的營運/先進封裝技術副總經(jīng)理何軍表示,微晶片堆棧是提升芯片性能和成本效益的關鍵技術。為滿足市場需求,臺積電提前部署了先進封裝和硅堆疊技術產(chǎn)能,并通過3DFabric平臺提供技術領先和滿足客戶需求的產(chǎn)能,成為客戶長期信賴的重要合作伙伴。全球芯片代工行業(yè)正在競爭和發(fā)展先進制程和封裝技術。
編輯:黃飛
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臺積電加大投資布局 2納米制程研發(fā)取得積極進展

全球芯片產(chǎn)業(yè)進入2納米競爭階段:臺積電率先實現(xiàn)量產(chǎn)!

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