一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      晶圓（Wafer-KGD）：650V Super-junction Power MOSFET

      深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-20 10:00 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      54f681e4-c004-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

      551451ce-c004-11ec-82f6-dac502259ad0.png

      55402e5c-c004-11ec-82f6-dac502259ad0.png

      *All the data based on TO-220 package, unless otherwise specified.

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 晶圓
        +關(guān)注

        關(guān)注

        53

        文章

        5165

        瀏覽量

        129807
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

        ： VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ） 應(yīng)用： 不間斷電源 功率因數(shù)校正 (PF
        發(fā)表于 07-15 16:22

        永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

        特性： VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ） 應(yīng)用： 不間斷電源 功率因數(shù)校正 (
        發(fā)表于 07-09 13:35

        新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

        新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50
        的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?358次閱讀
        新品 | <b class='flag-5'>650V</b> CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

        東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092
        的頭像 發(fā)表于 05-22 14:51 ?442次閱讀
        東芝推出新型<b class='flag-5'>650V</b>第3代SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

        內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
        的頭像 發(fā)表于 03-05 10:09 ?458次閱讀
        內(nèi)置<b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

        超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

        隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)
        的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?524次閱讀
        超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至<b class='flag-5'>650V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動(dòng)力分析

        為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

        650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
        的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?784次閱讀
        為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵器件？

        40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

        BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
        發(fā)表于 01-22 10:43

        NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

        NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍
        的頭像 發(fā)表于 01-07 10:58 ?919次閱讀
        NSG6000 <b class='flag-5'>650V</b>單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

        Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封裝

        Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無(wú)引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對(duì)高功率
        的頭像 發(fā)表于 08-05 11:25 ?810次閱讀
        Navitas推出新一代<b class='flag-5'>650V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>，采用高效TOLL封裝

        新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F

        新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
        的頭像 發(fā)表于 07-27 08:14 ?592次閱讀
        新品 | <b class='flag-5'>650V</b>高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F