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CoolSiC 1200V SiC

MOSFET低歐姆產(chǎn)品

CoolSiC 1200V SiC MOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用 .XT互連技術(shù)，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的熱耗散性能。

產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封裝

CoolSiC 1200V SiC MOSFET低歐姆產(chǎn)品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的熱耗散性能。

CoolSiC MOSFET是硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲結(jié)構(gòu)和DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

產(chǎn)品特點

TO247封裝中最大規(guī)格，最低的RDS(ON) 7mΩ

.XT互連技術(shù)實現(xiàn)了同類最佳的熱性能

最大柵極源極電壓低至-10V

靈活的關(guān)斷柵極電壓選擇-5V~0V

雪崩能力

短路能力

應用價值

單個器件的功率密度高

7mΩ單個器件的系統(tǒng)輸出功率可做到30千瓦

散熱能力提高15%

寬關(guān)斷柵極電壓選擇，易于設(shè)計和應用

增強穩(wěn)健性和可靠性

市場優(yōu)勢

經(jīng)過驗證并增強了封裝的堅固性，具有很高的可靠性

完整的內(nèi)部生產(chǎn)前端和后端，確保供應安全性

最新的開關(guān)和柵極驅(qū)動器技術(shù)實現(xiàn)了最佳性能

易于設(shè)計，加快了上市時間

應用領(lǐng)域

電動車快速充電

太陽能系統(tǒng)

儲能系統(tǒng)

工業(yè)驅(qū)動