一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

6.3.3 熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-04 14:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

6.3.3 熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性

6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4ffc813c-6cb9-11ec-ad3b-dac502259ad0.jpg

500d9756-6cb9-11ec-ad3b-dac502259ad0.jpg

501fd786-6cb9-11ec-ad3b-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    4835

    瀏覽量

    95165
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?109次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓<b class='flag-5'>特性</b>及切割要點

    碳化硅功率器件特性和應(yīng)用

    )功率器件,成為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本特性、主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域、市場前景以及未來發(fā)展趨勢。
    的頭像 發(fā)表于 02-25 13:50 ?783次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>特性</b>和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?646次閱讀

    碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:11 ?1480次閱讀

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1360次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>室<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>

    全方位解析碳化硅:應(yīng)用廣泛的高性能材料!

    碳化硅(SiC),又稱碳硅石,是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì),在多個領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的優(yōu)勢。本文將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:22 ?1549次閱讀
    全方位解析<b class='flag-5'>碳化硅</b>:應(yīng)用廣泛的高性能材料!

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

    碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿電壓以及高功率密度
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?1459次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET柵極<b class='flag-5'>氧化</b>層缺陷的檢測<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?5405次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?604次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1269次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1164次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅功率器件技術(shù)優(yōu)勢

    隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:43 ?699次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?1320次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和分類