概述
上一篇文章我們介紹了基于思睿達(dá)主推的CR5244_12V1A 電源適配器解決方案。在本文,我們將介紹基于思睿達(dá)主推的CR5149TJ_18W電源適配器方案。
01
樣機(jī)介紹
該報(bào)告是基于能夠適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的電源適配器樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)主推的CR5149TJ。


關(guān)于CR5149TJ
CR5149TJ 是一款高集成度、低待機(jī)功耗的CCM+PFM 混合電流模式PWM 控制開(kāi)關(guān)。CR5149TJ 輕載時(shí)會(huì)降低頻率,最低頻率22kHz可避免音頻噪聲。CR5149TJ 提供了完整的保護(hù)功能,如OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO 等。軟啟動(dòng)功能可以減少系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)MOSFET 的應(yīng)力,前沿消隱時(shí)間簡(jiǎn)化了系統(tǒng)應(yīng)用。通過(guò)頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),降低開(kāi)關(guān)噪聲,簡(jiǎn)化了EMI 設(shè)計(jì)。CR5149TJ 提供DIP-8L的封裝。
CR5149TJ芯片特性:
●較低的啟動(dòng)電流 (大約3μA)●全電壓范圍待機(jī)低于75mW●滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)●內(nèi)置軟啟動(dòng)減少M(fèi)OSFET應(yīng)力●內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償,消除次諧波振蕩●內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能,降低EMI●內(nèi)置65kHz開(kāi)關(guān)頻率●輕載降低工作頻率●VDD寬工作范圍●VDD過(guò)壓保護(hù)功能●內(nèi)置前沿消隱電路●逐周期過(guò)流保護(hù)●內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)●過(guò)載保護(hù)●DIP-8L綠色封裝基本應(yīng)用
●電源適配器●機(jī)頂盒電源●充電器●存儲(chǔ)設(shè)備電源管腳排列
管腳描述
典型應(yīng)用
02
樣機(jī)特性
以下表格為工程樣機(jī)的主要特性,具體測(cè)試方法在第4章節(jié)中有詳細(xì)說(shuō)明。2.1、輸入特性:




03
樣機(jī)結(jié)構(gòu)信息
本小節(jié)展示了工程樣機(jī)的電路、版圖結(jié)構(gòu),變壓器結(jié)構(gòu)及工藝。
3.1、電路原理圖及 BOM:
3.1.1、原理圖:








04
性能測(cè)評(píng)
本小節(jié)對(duì)工程樣機(jī)的輸入部分、輸出部分、各種保護(hù)以及一些時(shí)序進(jìn)行了測(cè)試,以下詳解了測(cè)試方法及結(jié)果。從測(cè)試結(jié)果來(lái)看,以下各項(xiàng)測(cè)試均合格,能夠滿足大部分客戶的要求。4.1、輸入特性:本模板經(jīng)過(guò)在不同的輸入電壓(從 90V/60Hz 到 264V/50Hz)和不同負(fù)載條件(空載和滿載)下測(cè)試,得到待機(jī)功耗、效率及平均效率。表 1 待機(jī)功耗
























DRAIN(藍(lán)色)端、CS(紅色)端波形圖:






測(cè)試條件:輸入:AC120V-60HZ/230V-50Hz;輸出負(fù)載用大功率電阻;限值標(biāo)準(zhǔn)參考:EN55013、EN55022B。(輻射測(cè)試結(jié)果僅供參考)






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高效低功耗:基于onsemi NCP1341的65W適配器電源方案

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