在上一章中，我們介紹了基于RJGT101D6的兩觸點(diǎn)加密煙彈方案的基本原理，本章將詳細(xì)介紹具體實(shí)施方案。包括如何選用低成本的MOS管搭建開關(guān)電路，煙桿主控MCU是如何與煙彈加密芯片RJGT101D6進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)交互的。

我們知道二極管、晶體管和MOS管都是電子電路中的基本開關(guān)器件，但它們?cè)趹?yīng)用中有一些區(qū)別。首先二極管和三極管是電流控制元件，而MOS管是電壓控制元件，同樣條件下MOS管的功耗更低。其次，MOS管導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通壓降小接近于0V，三級(jí)管和二極管的最低導(dǎo)通壓降要大于0.3V。由此可見選用MOS管做電子煙的開關(guān)電路更加合適。

從電路原型中可以看出，煙桿供電方向的切換電路實(shí)際上是一個(gè)整流全橋電路。我們用MOS管搭建了一個(gè)整流全橋電路，為了減少M(fèi)CU控制端口的數(shù)量，我們用P-MOS管做上橋臂，用N-MOS管做下橋臂，這也有利于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路，可以分別用RJM8L003的P03和P04端口直接驅(qū)動(dòng)這2個(gè)橋臂。如圖1所示。

因?yàn)镽JGT101D6的RSD腳既是電源輸入腳又是數(shù)據(jù)通信腳，當(dāng)它做為數(shù)據(jù)通信腳時(shí)需要外部上拉電阻才能輸出高電平，所以我們?cè)?個(gè)上橋臂上增加1個(gè)公用的2.2KΩ上拉電阻后到電源VCC。發(fā)熱絲工作時(shí)需要1A以上的電流，不能用有上拉電阻的H橋來(lái)驅(qū)動(dòng)，因?yàn)樯侠娮钑?huì)限制輸出電流，需要另外設(shè)計(jì)2個(gè)上橋臂，也就是圖中的MOS5和MOS6。當(dāng)發(fā)熱絲需要工作當(dāng)時(shí)，MOS5或者M(jìn)OS6導(dǎo)通，電池電流直接驅(qū)動(dòng)發(fā)熱絲，最后通過(guò)下橋臂MOS2或者M(jìn)OS4流入到GND。

上一章中提到，我們將煙彈內(nèi)部的發(fā)熱絲和加密芯片RJGT101D6采用串聯(lián)連接。因?yàn)橹挥蠷JGT101D6是由極性的，我們考慮設(shè)計(jì)一個(gè)單向旁路電路與RJGT101D6并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)RJGT101D6正向工作反向旁路的效果。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證我們選用了P-MOS管設(shè)計(jì)單向旁路電路，當(dāng)然也可以用N-MOS管。但不能用二極管，因?yàn)槎?jí)管的正向?qū)▔航荡笥?.3V，相當(dāng)于給RJGT101D6提供了負(fù)0.3V的工作電壓，這會(huì)導(dǎo)致其損壞。事實(shí)上很多邏輯芯片的工作電壓都不能小于負(fù)0.3V。發(fā)熱絲和RJGT101D6不能并聯(lián)也是出于過(guò)高的負(fù)電壓會(huì)損壞RJGT101D6考慮的，因?yàn)榘l(fā)熱絲的瞬時(shí)壓降會(huì)到達(dá)3V以上。

開關(guān)電路搭建好了，下一步是考慮如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路。電子煙內(nèi)部通常采用3.6V的單節(jié)鋰電池供電，MCU的GPIO輸出電壓最大3.6V，能否用3.6V直接驅(qū)動(dòng)開關(guān)取決于我們選用的MOS管開關(guān)參數(shù)，只要VGS(th)閾值電壓低于3V的都可以。還要關(guān)注MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)，因?yàn)镽DS(ON)越低其導(dǎo)通壓降也越低，但成本也越高。做為發(fā)熱絲工作通路的MOS管要選用RDS(ON)低于100mΩ的，而做為RJGT101D6工作通路的MOS管就可以適當(dāng)放寬一點(diǎn)。試驗(yàn)中我們選用的N-MOS為Si2302，P-MOS為CJ3401A，其性能指標(biāo)如表1所示，并且這2個(gè)通用型號(hào)有很多品牌廠家在生產(chǎn)，價(jià)格低廉容易采購(gòu)。

MOS管開關(guān)電路搭建好了之后，主控MCU是如何向煙彈的RJGT101D6發(fā)送高低電平信號(hào)的，我們還是從煙彈正插時(shí)的情況分析，如圖2所示。P00始終保持為輸入端口，P01、P02、P04設(shè)置為輸出高電平1，此時(shí)MOS3斷開MOS4閉合，MOS5和MOS6都斷開，MCU通過(guò)P03向RJGT101D6發(fā)送數(shù)據(jù)，當(dāng)P03輸出低電平0，MOS1閉合MOS2斷開，即可向RJGT101D6發(fā)送1個(gè)高電平位。當(dāng)P03輸出高電平1，MOS1斷開MOS2閉合，即可向RJGT101D6發(fā)送1個(gè)低電平位。煙彈反插時(shí)，MCU是通過(guò)P04向RJGT101D6發(fā)送數(shù)據(jù)，具體分析就不再贅述。

主控MCU是通過(guò)P00端口讀取RJGT101D6的返回?cái)?shù)據(jù)，如圖3所示。煙彈正插時(shí)，P00設(shè)置為輸入端口，P01、P02、P04設(shè)置為輸出高電平1，P03設(shè)置為輸出低電平0，此時(shí)MOS3斷開MOS4閉合，MOS5和MOS6都斷開，MOS1閉合MOS2斷開。此時(shí)RSD引腳輸出的高低電平可通過(guò)MOS1輸入到P00腳的。而煙彈反插時(shí)，RSD引腳輸出的高低電平是通過(guò)MOS3輸入到P00腳的。

這就是基于瑞納捷半導(dǎo)體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計(jì)的兩線加密煙彈方案，方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下，做到了簡(jiǎn)單、低成本、易于實(shí)施的設(shè)計(jì)目標(biāo)，可適用于傳統(tǒng)電子煙的改造升級(jí)，也可用于醫(yī)療耗材、辦公耗材的加密防偽。