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DK

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DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaN HEMT功率管，邏輯控制電路和半橋驅(qū)動(dòng)電路，是目前業(yè)內(nèi)唯一一款一體式合封氮化鎵有源箝位反激功率轉(zhuǎn)換芯片。

上管采用400mΩ GaN功率管，下管采用260mΩ GaN功率管，最大開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)500KHz。專利的上管電流關(guān)斷控制技術(shù)保證了上管在最小電流時(shí)關(guān)斷，同時(shí)此電流可以實(shí)現(xiàn)下管的ZVS開(kāi)通。DK120GA支持120W以內(nèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)，特別適用于目前高功率密度PD快充應(yīng)用。采用DK120GA設(shè)計(jì)的方案外圍電路非常簡(jiǎn)單，調(diào)試難度很低，綜合成本遠(yuǎn)低于目前市場(chǎng)上歐美廠商的有源箝位方案。

一

DK120GA 芯片介紹

業(yè)內(nèi)唯一的單芯片ACF整合方案！

1

Logic and Control

2

High side GaN HEMT

3

Half Bridge Driver

4

Low side GaN HEMT

二

DK120GA關(guān)鍵特性展示

DK120GA腳位圖

1

控制方式

?專利的上管自適應(yīng)關(guān)斷技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)最小負(fù)電流關(guān)斷，同時(shí)該電流足夠抽走下管的Coss電荷，實(shí)現(xiàn)下管的ZVS導(dǎo)通；

?峰值電流控制模式；

?上管輕載模式下自適應(yīng)開(kāi)通/關(guān)斷，提高輕載效率；

?死區(qū)時(shí)間自適應(yīng)；

2

外圍元件

?合封兩顆GaN MOSFET，半橋驅(qū)動(dòng)及邏輯控制電路；

?外圍極其簡(jiǎn)單；

?無(wú)需外部補(bǔ)償電路；

3

功能完善

?自帶高壓啟動(dòng)；

?自帶X2電容放電，Brown in/out，輸出OVP等保護(hù)功能；

三

120W ACF EVB 展示

一

基本原理圖

與市面上友商的ACF方案相比，極大簡(jiǎn)化了外圍設(shè)計(jì)，降低了調(diào)試難度，縮短了方案設(shè)計(jì)周期

二

展示板效率與溫升

三

方案成本對(duì)比優(yōu)勢(shì)

120W PD ACF方案 VS LLC方案

?AC-DC功率級(jí)電路異常簡(jiǎn)單

?外圍元器件少，調(diào)試輕松

?成本省去了LLC諧振電容，諧振電感

?效率非常接近主流的LLC方案

?功率密度進(jìn)一步上升

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原文標(biāo)題：新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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