本文來(lái)自浙商科技·行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告“2023年半導(dǎo)體未來(lái)十大趨勢(shì)預(yù)測(cè)”，基于2023年消費(fèi)芯片的庫(kù)存拐點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化率拐點(diǎn)行情，提出對(duì)2023年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的十大預(yù)測(cè)。

預(yù)測(cè)一：成熟工藝將成為國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)主力軍TrendForce集邦咨詢(xún)顯示，2021年晶圓代工廠中，成熟制程仍占據(jù)76%的市場(chǎng)份額。2022年全球晶圓代工廠年增產(chǎn)能約14%，其中十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約有65%為成熟制程（28nm及以上）。以全球視角來(lái)看，成熟工藝仍是主流：

1、全球視角：世界三大晶圓代工巨頭（臺(tái)積電、聯(lián)電、格芯），成熟工藝約占總產(chǎn)能的74%。① 臺(tái)積電：成熟工藝約占產(chǎn)能的64%，占銷(xiāo)售額的34%。預(yù)計(jì)臺(tái)積電產(chǎn)能為120萬(wàn)片/月（12英寸），16nm/7nm/5nm的產(chǎn)能約為13.7/17.8/12.0萬(wàn)片，先進(jìn)制程產(chǎn)能約為43.5萬(wàn)片/月，占比36%。到2025年其成熟和專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能將擴(kuò)大50%。② 聯(lián)電：放棄先進(jìn)制程，專(zhuān)注成熟工藝。聯(lián)電在2018年宣布不再投資12nm以下的先進(jìn)制程，自此專(zhuān)注在成熟工藝擴(kuò)大市場(chǎng)。目前聯(lián)電產(chǎn)能為40萬(wàn)片/月（12英寸），全部集中在成熟工藝。此外，公司于21年投入約36億美元擴(kuò)大28nm芯片產(chǎn)能。③ 格芯：成熟工藝產(chǎn)能約占83%，退出10nm以下先進(jìn)制程。格芯于2018年宣布退出10nm及以下的先進(jìn)制程的研發(fā)，目前擁有的先進(jìn)制程為12nm。預(yù)計(jì)目前格芯產(chǎn)能約為20萬(wàn)片/月（12英寸），擁有先進(jìn)制程的紐約fab8約占17%。

2、目前國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)聚焦在成熟工藝，需求大、供給足、成本性?xún)r(jià)比高。

① 需求：成熟制程能覆蓋除智能手機(jī)以外的絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景，更是電動(dòng)汽車(chē)、智能家電的芯片主力軍。② 供給：在***方面，美國(guó)芯片法案對(duì)中國(guó)芯片制造的重點(diǎn)在剛需高端EUV***的先進(jìn)制程，即14nm及以下的fab、18nm的DRAM、128層的NAND。而目前成熟制程應(yīng)用的DUV***由日本、歐洲掌握，美國(guó)的影響力有限。其他設(shè)備方面，北方華創(chuàng)、中微、盛美、拓荊、華海清科、芯源微、萬(wàn)業(yè)、精測(cè)等國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)品滿(mǎn)足成熟工藝的標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品管線覆蓋除***外的所有領(lǐng)域，產(chǎn)品性能得到持續(xù)驗(yàn)證，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率不斷提升。③ 成本/工藝：隨著先進(jìn)制程不斷演進(jìn)，制造工藝的研發(fā)和生產(chǎn)成本逐代上漲，高漲的技術(shù)難度和成本高筑進(jìn)入壁壘。

結(jié)論：成熟工藝作為芯片需求的主力節(jié)點(diǎn)，并且在CHIPLET異構(gòu)集成的大潮下，部分先進(jìn)工藝可以用成熟工藝+先進(jìn)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外由于目前國(guó)產(chǎn)設(shè)備材料的技術(shù)發(fā)展階段的條件約束，且我國(guó)的成熟工藝產(chǎn)能仍大面積依靠進(jìn)口，后續(xù)國(guó)內(nèi)的擴(kuò)產(chǎn)主力就是基于國(guó)產(chǎn)可控技術(shù)的成熟工藝。

預(yù)測(cè)二：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策進(jìn)入密集區(qū)中國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中仍為“追趕者”姿態(tài)，根據(jù)SIA，2021年半導(dǎo)體行業(yè)格局（按產(chǎn)值）為美國(guó)（46%）、韓國(guó)（21%）、日本（9%）、歐洲（9%）、中國(guó)臺(tái)灣（8%）、中國(guó)大陸（7%）。隨著半導(dǎo)體行業(yè)走向成熟以及競(jìng)爭(zhēng)環(huán)節(jié)產(chǎn)生劇變，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策也進(jìn)入密集區(qū)，政策主要圍繞“強(qiáng)化自身供應(yīng)鏈”和“加強(qiáng)研發(fā)力度”兩條主線。

預(yù)測(cè)三：Chiplet將成為跨越制程鴻溝的主線技術(shù)
Chiplet將滿(mǎn)足特定功能的裸芯片通過(guò)Die-to-Die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片的系統(tǒng)封裝，實(shí)現(xiàn)一種新形勢(shì)的IP復(fù)用。Chiplet不僅是延續(xù)后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵，也是國(guó)內(nèi)布局先進(jìn)制程的解決方案之一，將成為未來(lái)行業(yè)發(fā)展的主線：

1、Chiplet是延續(xù)后摩爾時(shí)代，解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展難題的關(guān)鍵所在

• Chiplet可以大幅提高大型芯片的良率：在高性能計(jì)算、AI等方面的巨大運(yùn)算需求，使得整個(gè)芯片晶體管數(shù)量暴漲，芯片的面積也不斷增大，固有不良率帶來(lái)的損失增大。而Chiplet可以切割成獨(dú)立小芯片，有效改善良率，降低不良率帶來(lái)的成本增長(zhǎng)。
• Chiplet可以降低設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和設(shè)計(jì)成本：如果將大規(guī)模SoC按不同模塊分解成芯粒，做到類(lèi)似模塊化設(shè)計(jì)，可以重復(fù)利用在不同的芯片產(chǎn)品中。這樣可以大幅降低設(shè)計(jì)難度和成本，并且有利于后續(xù)產(chǎn)品的迭代，加速產(chǎn)品上市周期。
• Chiplet可以降低芯片制造成本：SoC中主要是邏輯計(jì)算單元依賴(lài)于先進(jìn)制程提升性能，Chiplet化后可以根據(jù)不同的芯粒選擇合適的制程，分開(kāi)制造，再用先進(jìn)封裝進(jìn)行組裝，極大的降低了芯片的制造成本。

2、Chiplet是國(guó)內(nèi)突破技術(shù)封鎖，布局先進(jìn)制程的重要方案

按性能分，芯片分為三種：

能用芯片：135-28nm，對(duì)應(yīng)3G手機(jī)、家電、消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)

夠用芯片：14-7nm含chiplet，對(duì)應(yīng)4G手機(jī)、L2輔助駕駛、普通座艙

• 好用芯片：7-2nm的尖端工藝，對(duì)應(yīng)5G手機(jī)、L5無(wú)人駕駛、高級(jí)座艙

美國(guó)芯片法案的目的是將中國(guó)卡在能用芯片中，而為了實(shí)現(xiàn)從能用到夠用的進(jìn)階，有三種途徑：

（1）延續(xù)摩爾定律的原生非A硅制程；（2）轉(zhuǎn)換到第三/四代半導(dǎo)體材料；

（3）超越摩爾的Chiplet（成熟工藝+Chiplet=先進(jìn)工藝）。

預(yù)測(cè)四：FD-SOI將為國(guó)內(nèi)開(kāi)啟先進(jìn)制程大門(mén)提供可能隨著5G通信、智能駕駛、人工智能等潮流興起，SOI技術(shù)憑借高性能、低功效的優(yōu)勢(shì)，帶動(dòng)SOI硅片需求量大幅增加?；赟OI材料的FD-SOI是先進(jìn)工藝（28nm以下）兩大技術(shù)路線之一，也是國(guó)內(nèi)突破先進(jìn)工藝的方案之一：1、基于SOI的兩大技術(shù)路線：RF-SOI技術(shù)用于5G射頻芯片，F(xiàn)D-SOI開(kāi)啟28nm以下先進(jìn)制程

RF-SOI（射頻絕緣體上硅）：相較于傳統(tǒng)的GaAs和SOS技術(shù)，不僅成本更低、集成度更高，還發(fā)揮了SOI材料結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，所實(shí)現(xiàn)的器件具有高品質(zhì)、低損耗、低噪聲等射頻性能，主要用于制造智能手機(jī)和無(wú)線通信設(shè)備上的射頻前端芯片。

FD-SOI：FinFET和FD-SOI是發(fā)展先進(jìn)工藝（28nm以下）的兩大解決方案。FinFET技術(shù)路線的先進(jìn)工藝帶來(lái)了工藝復(fù)雜、工序繁多、良率下降等問(wèn)題，使得在28 nm以下制程的每門(mén)成本不降反升。FD-SOI技術(shù)路線逐漸得到業(yè)界關(guān)注。

• 理論上，利用DUV***制造的FD-SOI產(chǎn)品，可以達(dá)到與采用EUV***制造的FinFET產(chǎn)品相當(dāng)?shù)男阅堋?/strong>

2、材料：核心技術(shù)由法國(guó)Soitec掌握，中國(guó)大陸加快追趕步伐國(guó)外：300mm的SOI硅片核心技術(shù)由法國(guó)Soitec掌握，日本信越化學(xué)、SUMCO、中國(guó)臺(tái)灣環(huán)球晶圓等少數(shù)企業(yè)具備生產(chǎn)能力。國(guó)內(nèi)：滬硅產(chǎn)業(yè)旗下子公司獲得Soitec技術(shù)授權(quán)，公司于2022年2月完成50億定增，其中20億元投入高端硅基材料研發(fā)。項(xiàng)目完成后，滬硅產(chǎn)業(yè)將建立300mm高端硅基材料的供應(yīng)能力，并完成40萬(wàn)片/年的產(chǎn)能建設(shè)，加快在SOI領(lǐng)域的追趕步伐。3、代工：工藝由格羅方德、意法半導(dǎo)體、三星等主導(dǎo)意法半導(dǎo)體于2012年推出了28 nm FD-SOI工藝平臺(tái)，并于2014年將該技術(shù)平臺(tái)授權(quán)給三星。格羅方德于2017年發(fā)布了22 nm FD-SOI代工平臺(tái)，截至2020年年底已實(shí)現(xiàn)營(yíng)收45 億美元，交付芯片超過(guò)3.5 億顆。格羅方德于2018年投產(chǎn)的12 nm FD-SOI代工平臺(tái)生產(chǎn)的產(chǎn)品幾乎擁有10 nm FinFET 工藝產(chǎn)品同等的性能，但功耗和生產(chǎn)成本卻比16 nm FinFET工藝產(chǎn)品還低。

預(yù)測(cè)五：RISC-V將引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)CPU IP突破指令集封鎖RISC-V開(kāi)放的定位是***實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要基礎(chǔ)，條件約束和技術(shù)優(yōu)勢(shì)兩方面因素決定了RISC-V與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雙向選擇。從技術(shù)架構(gòu)、軟硬件生態(tài)到量產(chǎn)應(yīng)用，我國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)正加速邁向成熟。隨著2023年正式步入高性能計(jì)算場(chǎng)景，基于RISC-V開(kāi)發(fā)的CPU IP將成為2023年國(guó)產(chǎn)IP主線。

• RISC-V可以滿(mǎn)足國(guó)產(chǎn)CPU架構(gòu)自主可控需求。不同于x86、ARM等國(guó)外商業(yè)公司壟斷的私有指令集架構(gòu)，RISC-V最大的特點(diǎn)是開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)化，是CPU技術(shù)變革的一次絕佳機(jī)遇，能夠很好的調(diào)節(jié)軟件普適生態(tài)和CPU國(guó)產(chǎn)自主可控的雙重需求。

RISC-V生態(tài)體系也因此正在全球范圍內(nèi)快速崛起，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算等新興應(yīng)用領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新焦點(diǎn)。

RISC-V全球化立場(chǎng)鮮明。2019年，RISC-V基金會(huì)因?yàn)閾?dān)憂(yōu)美國(guó)的貿(mào)易法規(guī)而搬到了瑞士，并更名為RISC-V International，進(jìn)而該開(kāi)源社區(qū)的代碼上傳下載可不受美國(guó)出口管制。目前RISC-V基金會(huì)的22個(gè)主要成員中有12個(gè)來(lái)自中國(guó)，占比超過(guò)50%。其中包括華為公司、阿里巴巴集團(tuán)、中科院計(jì)算所等知名企事業(yè)單位。

IP是實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)國(guó)產(chǎn)化的必經(jīng)之路。IP作為深層關(guān)鍵要素，對(duì)于基礎(chǔ)軟件、芯片設(shè)計(jì)等淺層要素，以及代工制造、封裝測(cè)試等中層要素，乃至芯片全產(chǎn)業(yè)鏈都是不可或缺的存在。當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界90%以上的SoC都是采用以IP核為主而進(jìn)行設(shè)計(jì)的，大量復(fù)用IP核代碼和專(zhuān)利等硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

基于RISC-V的CPU IP將迎來(lái)歷史性發(fā)展機(jī)遇。目前我國(guó)絕大部分的芯片都建立在國(guó)外公司的IP授權(quán)或架構(gòu)授權(quán)基礎(chǔ)上。近年來(lái)美國(guó)對(duì)華科技產(chǎn)業(yè)限制層出不窮，IP和芯片底層架構(gòu)國(guó)產(chǎn)化替代已經(jīng)迫在眉睫，必須實(shí)現(xiàn)深層要素的國(guó)產(chǎn)化才能實(shí)現(xiàn)全棧要素創(chuàng)新。RISC-V憑借其開(kāi)放優(yōu)勢(shì)有望成為IP獨(dú)立自主的關(guān)鍵根技術(shù)。

• 2023年將成為RISC-V的高性能計(jì)算元年。截至2022年末，我國(guó)大約有50款不同型號(hào)的國(guó)產(chǎn)RISC-V芯片量產(chǎn)，應(yīng)用場(chǎng)景集中在MCU、電源管理、無(wú)線連接、存儲(chǔ)控制、物聯(lián)網(wǎng)等中低端場(chǎng)景。而目前已有多家創(chuàng)新企業(yè)計(jì)劃在2023年發(fā)布對(duì)標(biāo)64核高性能的服務(wù)器級(jí)處理器，應(yīng)用領(lǐng)域也有望從專(zhuān)業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景逐步拓展到通用計(jì)算場(chǎng)景。

預(yù)測(cè)六：反全球化持續(xù)，中國(guó)半導(dǎo)體內(nèi)循環(huán)開(kāi)啟

2022年美國(guó)通過(guò)《美國(guó)芯片與科學(xué)法案》，其中針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，計(jì)劃五年內(nèi)投入527億美元的政府補(bǔ)貼。此外，加入“中國(guó)護(hù)欄”條款，禁止獲得聯(lián)邦資金的公司在中國(guó)大幅增產(chǎn)先進(jìn)制程芯片。這標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)將由全球化大分工，轉(zhuǎn)向反全球化。

預(yù)測(cè)七：終端廠商及設(shè)計(jì)公司向產(chǎn)業(yè)鏈前端滲透

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈三種權(quán)利：設(shè)計(jì)權(quán)（決定創(chuàng)新和供給）+代工權(quán)（決定安全和產(chǎn)能）+設(shè)備權(quán)（決定產(chǎn)業(yè)鏈安全和工藝底層突破）。

芯片產(chǎn)業(yè)全球化分工使設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)分離，存在供應(yīng)鏈的地理分割，加劇了受外部因素影響而供需失衡的風(fēng)險(xiǎn)，因此企業(yè)向產(chǎn)業(yè)鏈前端滲透、實(shí)現(xiàn)自主可控已是大勢(shì)所趨。

1、對(duì)于終端廠商來(lái)說(shuō)，芯片領(lǐng)域?qū)⒊蔀樾碌闹鲬?zhàn)場(chǎng)，著力于掌握芯片設(shè)計(jì)權(quán)甚至代工權(quán)是終端企業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。目前部分下游軟硬件公司逐步開(kāi)啟芯片自研模式。

①智能手機(jī)：小米、OPPO、vivo等芯片研發(fā)主要聚焦于影像、藍(lán)牙、電池管理等細(xì)分領(lǐng)域；

②智能汽車(chē)：以特斯拉為先鋒，傳統(tǒng)車(chē)企以及造車(chē)新勢(shì)力如通用、比亞迪、蔚來(lái)等也先后進(jìn)軍芯片自研；

③互聯(lián)網(wǎng)：亞馬遜、微軟、谷歌、阿里等通過(guò)推出定制化的自研芯片，驅(qū)動(dòng)云計(jì)算服務(wù)的創(chuàng)新迭代。參考全球智能手機(jī)巨頭的發(fā)展歷程，隨著產(chǎn)品同質(zhì)化加劇，芯片區(qū)別的重要性日益突顯，成功的頭部手機(jī)廠商均擁有較強(qiáng)的芯片設(shè)計(jì)研發(fā)水平，如蘋(píng)果的A系列芯片、三星的獵戶(hù)座芯片以及華為的麒麟系列芯片，驗(yàn)證了掌握核心造芯技術(shù)對(duì)于終端廠商的重要性。

終端廠商自研芯片主要由于外部缺芯壓力和內(nèi)部自身發(fā)展需要。

①把握產(chǎn)能主動(dòng)權(quán)：全球芯片短缺使部分下游企業(yè)產(chǎn)能無(wú)法釋放，布局芯片領(lǐng)域?qū)⒈Ｕ瞎?yīng)鏈穩(wěn)定性。

②滿(mǎn)足應(yīng)用領(lǐng)域功能需求：隨智能化發(fā)展，高通、英特爾等芯片企業(yè)供應(yīng)的通用芯片難以滿(mǎn)足終端日益提升的性能需求，自研定制芯片將形成軟硬一體化發(fā)展，構(gòu)建芯片、系統(tǒng)軟件、終端產(chǎn)品的生態(tài)閉環(huán)，搶占智能網(wǎng)聯(lián)高地。

③提升話語(yǔ)權(quán)和競(jìng)爭(zhēng)力：提高對(duì)核心技術(shù)的把控能力，使自己擁有產(chǎn)品創(chuàng)新節(jié)奏的主導(dǎo)權(quán)。2、對(duì)于IC設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō)，自建晶圓廠、在成熟工藝節(jié)點(diǎn)掌握獨(dú)立代工權(quán)、將芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)集于一體，將成為趨勢(shì)。

當(dāng)前，缺乏代工權(quán)已經(jīng)成為制約中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司發(fā)展的關(guān)鍵因素。

①產(chǎn)能不足：設(shè)計(jì)公司晶圓制造是芯片產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，在當(dāng)前全球晶圓產(chǎn)能緊缺、終端消費(fèi)需求復(fù)蘇的大背景之下，中國(guó)大陸芯片仍有較大供需缺口，晶圓代工廠產(chǎn)能無(wú)法匹配設(shè)計(jì)公司不斷提升的技術(shù)水平。

②利潤(rùn)承壓：晶圓短缺導(dǎo)致代工廠漲價(jià)，增加IC設(shè)計(jì)公司成本。

預(yù)測(cè)八：智能座艙將成為電車(chē)智能化主戰(zhàn)場(chǎng)

電車(chē)智能化進(jìn)程可分為智能座艙和智能駕駛兩條線。

1、智能座艙：經(jīng)歷三段式發(fā)展，未來(lái)3-5年將成為電車(chē)智能化主戰(zhàn)場(chǎng)。1.0階段（1980s-2011）：以1986年第七代別克Riviera標(biāo)配9英寸觸摸屏為起點(diǎn)，歷史上第一輛搭載觸屏技術(shù)的汽車(chē)誕生，開(kāi)啟座艙智能化進(jìn)程。2.0階段（2012-2021）：特斯拉Model S創(chuàng)新性地采用大尺寸車(chē)載顯示屏，取消絕大部分機(jī)械按鍵，標(biāo)志著智能座艙進(jìn)入電子化時(shí)代。3.0階段（2022-2027）：理想L9開(kāi)創(chuàng)智能化交互模式，采用五塊大屏，即HUD+安全駕駛交互屏+中控屏+副駕屏+后艙娛樂(lè)屏，并且擁有6音區(qū)、3D ToF傳感器及21個(gè)揚(yáng)聲器等，實(shí)現(xiàn)三維交互，此后智能座艙發(fā)展聚焦于人機(jī)交互的智能體驗(yàn)。2、智能駕駛：目前發(fā)展受限，時(shí)機(jī)尚未成熟，2025后有望突破約束得以發(fā)展。

短期內(nèi)，智能駕駛無(wú)法成為智能電車(chē)發(fā)展重點(diǎn)的主要原因：

①缺少芯片代工：雖然我國(guó)有先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)能力和封測(cè)能力，但先進(jìn)制程的生產(chǎn)制造水平落后，缺少掌握先進(jìn)工藝的芯片代工廠，高性能芯片供給受約束。

②缺少算法算力：盡管以地平線、海思為代表的***廠商具備大算力優(yōu)勢(shì)，但整體來(lái)看，仍難以滿(mǎn)足由傳感器數(shù)量提升帶來(lái)的爆發(fā)式增長(zhǎng)的算力需求。

③缺少法律法規(guī)：當(dāng)前我國(guó)自動(dòng)駕駛相關(guān)法律法規(guī)尚不完善，其商業(yè)化應(yīng)用將面臨法律挑戰(zhàn)。因此，預(yù)計(jì)2025年前，智能駕駛方面依然以輔助駕駛為主、智能駕駛創(chuàng)新為輔，長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看自動(dòng)駕駛將是電車(chē)智能化的終局。

預(yù)測(cè)九：芯片去庫(kù)存繼續(xù)推進(jìn)，周期拐點(diǎn)已至在我們的半導(dǎo)體研究框架中，短期看庫(kù)存周期，中期看創(chuàng)新周期，長(zhǎng)期看國(guó)產(chǎn)替代。

典型的庫(kù)存周期可分為四個(gè)階段：

①主動(dòng)去庫(kù)存（量?jī)r(jià)齊跌）：晶圓廠產(chǎn)能供過(guò)于求，全行業(yè)芯片庫(kù)存達(dá)到高點(diǎn)，以手機(jī)和家電為代表的下游需求緊縮，于是降價(jià)以去庫(kù)存，消費(fèi)芯片呈現(xiàn)出量?jī)r(jià)齊跌狀態(tài)。

②被動(dòng)去庫(kù)存（量跌價(jià)平/升）：隨需求復(fù)蘇，庫(kù)存繼續(xù)減少，價(jià)格保持，隨后逐步漲至正常利潤(rùn)線水平。

③主動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存（量?jī)r(jià)齊升）：需求增加的速度高于供給增長(zhǎng)，庫(kù)存持續(xù)下行，庫(kù)存去完后供需平衡，廠商擴(kuò)大供給，進(jìn)入補(bǔ)庫(kù)存階段，量?jī)r(jià)齊升，處于盈利最佳狀態(tài)。

④被動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存（量升價(jià)平/跌）：需求相對(duì)平穩(wěn)，而廠商為了應(yīng)付未來(lái)可能的需求，繼續(xù)增加產(chǎn)量，存在供給慣性，導(dǎo)致供給側(cè)產(chǎn)能過(guò)剩。

預(yù)測(cè)十：國(guó)產(chǎn)化5.0推進(jìn)，建立中國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)

通過(guò)梳理國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代的發(fā)展脈絡(luò)，可以分為五個(gè)階段，2023年國(guó)產(chǎn)化將從4.0向5.0推進(jìn)：

1、國(guó)產(chǎn)化1.0（芯片設(shè)計(jì)）：2019年以信創(chuàng)軟件（操作系統(tǒng)）和芯片設(shè)計(jì)（數(shù)字芯片、模擬芯片）幾大類(lèi)為主2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應(yīng)，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對(duì)國(guó)產(chǎn)模擬芯片、國(guó)產(chǎn)射頻芯片、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片、國(guó)產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購(gòu)，這是第一步。2、國(guó)產(chǎn)化2.0 （晶圓制造）：2020年以晶圓代工和周邊產(chǎn)業(yè)鏈，主要以中芯國(guó)際、封測(cè)鏈、設(shè)備鏈為主2020年9月，限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴(lài)美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等），海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈，直接帶動(dòng)了中芯國(guó)際等國(guó)產(chǎn)晶圓廠和封測(cè)廠的加速發(fā)展。3、國(guó)產(chǎn)化3.0（設(shè)備材料） ：2021年以晶圓廠上游的半導(dǎo)體設(shè)備和材料鏈為主，比如前道核心設(shè)備和黃光區(qū)芯片材料2020年12月，中芯國(guó)際進(jìn)入實(shí)體名單，限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全，必須做到對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破，由于DUV不受美國(guó)管轄，此階段的關(guān)鍵是針對(duì)刻蝕等美系技術(shù)的替代。

4、國(guó)產(chǎn)化4.0（設(shè)備零部件、EDA/IP、材料上游） ：2022年以零部件和EDA為主，進(jìn)入到國(guó)產(chǎn)鏈條的深水區(qū)，最底層的替代2022年8月，美國(guó)發(fā)布芯片法案，對(duì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程的發(fā)展進(jìn)行封鎖。想要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控，必須進(jìn)入國(guó)產(chǎn)鏈條的深水區(qū)，實(shí)現(xiàn)從根技術(shù)到葉技術(shù)的全方位覆蓋。因此，底層的半導(dǎo)體設(shè)備逐漸實(shí)現(xiàn)1-10的放量，芯片材料逐漸實(shí)現(xiàn)0-1的突破，EDA/IP登陸資本市場(chǎng)，成為全新品類(lèi)，最底層的設(shè)備零部件也將迎來(lái)歷史性發(fā)展。5、國(guó)產(chǎn)化5.0（中國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)）：2023年以后，將以建立產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)強(qiáng)供需聯(lián)系、打通內(nèi)循環(huán)為主要替代目標(biāo)

我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全而不強(qiáng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的幾乎每一個(gè)環(huán)節(jié)都有中國(guó)企業(yè)，但是整體處于落后位置。由于產(chǎn)業(yè)鏈上下游的中國(guó)企業(yè)缺乏深度聯(lián)系，單個(gè)企業(yè)的進(jìn)步很容易受美國(guó)制裁影響。因此，培育良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，實(shí)現(xiàn)全自主制造，打通內(nèi)循環(huán)，依托國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的不斷升級(jí)，將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)化5.0的重要目標(biāo)。