在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù),尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
發(fā)表于 07-09 09:43
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在集成電路制造工藝中,氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜,不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的保護(hù)和鈍化,還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對(duì)
發(fā)表于 06-12 10:23
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 06-05 08:46
以外的第六個(gè)基本生命體征。ETCO2可以反映患者的代謝、通氣和循環(huán)狀態(tài),臨床上通過測(cè)定ETCO2以監(jiān)測(cè)患者的通氣功能.02呼氣末二氧化碳監(jiān)測(cè)模塊根據(jù)儀器的采樣方式不
發(fā)表于 05-19 13:20
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室內(nèi)CO2濃度高通常是人類存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳,如果環(huán)境通風(fēng)不暢,二氧化碳會(huì)在室內(nèi)積聚。而且,現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如,減少消耗和加熱或冷卻成本的密集
發(fā)表于 05-19 13:19
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二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
發(fā)表于 04-10 14:36
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在數(shù)百米深的地層之下,煤炭開采的轟鳴與礦工們的汗水交織成獨(dú)特的工業(yè)交響曲。而在這幽暗的巷道中,一種看不見的氣體——二氧化碳,正悄然威脅著礦工們的生命安全。據(jù)統(tǒng)計(jì),我國煤礦每年因有害氣體導(dǎo)致的安全事故
發(fā)表于 03-24 18:22
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 02-05 09:35
模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)(160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波導(dǎo)中(注意:使用的尺寸減小了(1.5 umx1.5
發(fā)表于 01-08 08:51
隨著科技的進(jìn)步,人們對(duì)于生活以及身體健康關(guān)注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分,與人類生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2(二氧化碳)氣體,監(jiān)測(cè)CO2(二氧化碳)氣體至關(guān)重要。CO2(二
發(fā)表于 01-07 17:01
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模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)(160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波導(dǎo)中(注意:使用的尺寸減小了(1.5 umx1.5
發(fā)表于 12-11 11:27
存在,且金屬元素含量高、種類多,具有較高的研究價(jià)值。除了需要對(duì)有色金屬礦石中的多種元素進(jìn)行研究外,作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合,也是影響礦石價(jià)格的主要參考指標(biāo)之一,因此,研究有色金屬礦中二氧化硅的測(cè)定方法對(duì)礦產(chǎn)勘查有著重要影響及指導(dǎo)意義
發(fā)表于 10-30 13:12
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的二氧化碳濃度超過報(bào)警閾值時(shí),繼電器吸合,風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng),開始排風(fēng),降低二氧化碳濃度。仿真演示視頻:基于51單片機(jī)的二氧化碳濃度檢測(cè)調(diào)節(jié)系統(tǒng)-仿真視頻設(shè)計(jì)介紹51單片機(jī)簡介51單片是一種低功耗、高性
發(fā)表于 10-22 14:13
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二氧化硅薄膜實(shí)現(xiàn)增透的原因主要涉及以下幾個(gè)方面: 1. 折射率匹配 折射率特性 :二氧化硅(SiO?)的折射率相對(duì)較低,這使得它能夠作為一層有效的增透膜(或稱為減反射膜)。當(dāng)光線從一種介質(zhì)進(jìn)入另一種
發(fā)表于 09-27 10:22
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1. 引言 鍍膜技術(shù)是一種在基材表面形成薄膜的技術(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電子、機(jī)械、建筑等領(lǐng)域。二氧化硅作為一種常見的無機(jī)材料,因其良好的光學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度,在鍍膜技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用
發(fā)表于 09-27 10:10
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評(píng)論