在嚴格醫(yī)療要求的設備中，電源的設計電不僅要達到理想的效率，同時盡可能保持小巧緊湊，且必須滿足IEC60601-1的嚴格要求和一系列的技術(shù)標準，旨在確保醫(yī)療電氣設備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴格的醫(yī)療設備中，B1D02065K優(yōu)越的性能和極高的工作效率是電源設計的首選產(chǎn)品。

碳化硅肖特基二極管B1D02065K

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比具 有 更 優(yōu) 越 的 性 能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場 (3×106 V/cm)和高導熱系數(shù) (4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低?；景雽w是全球領先的碳化硅功率器件制造商，其覆蓋的碳化硅MOS方案憑借其優(yōu)良的性能，常用于大功率元器件中。

基本半導體碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品應用

碳化硅肖特基二極管B1D02065K性能優(yōu)勢：

1、B1D02065K具有極低的反向漏電流，反向重復峰值電壓VRRM為650 V；

2、B1D02065K具有出色的浪涌電流能力和低電容電荷；

3、B1D02065K連續(xù)正常電流(TC=160°C)為2A；

4、B1D02065K基本沒有開關(guān)損耗；

5、B1D02065K工作溫度和存儲溫度-55°~175°；

6、B1D02065K提供行業(yè)標準封裝TO-220-2；

國芯思辰批量供應碳化硅肖特基二極管B1D02065K，如有相關(guān)應用需求可在國芯思辰官網(wǎng)進行樣品免費申請

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