基本半導(dǎo)體混合IGBT單管是將IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案，在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用指南如下：

1、主要功率點(diǎn)位：35kW、50kW、70kW（35kW兩模塊并）、100kW（50kW模塊兩并）、125kW（62.5kW模塊兩并），功率點(diǎn)位的選擇主要取決于電池容量，都是標(biāo)準(zhǔn)值；

2、T型三電平是主流方案，出于競(jìng)爭(zhēng)力考量，采用分立器件IGBT；T型三電平的開(kāi)關(guān)頻率，目前主要在16-20kHz之間

3、35kW單機(jī)方案：TO-247封裝單管IGBT是現(xiàn)階段主力，橫管用650V 50AIGBT兩并聯(lián)，豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯(lián)或者1200V 25A IGBT 4顆并聯(lián)。

4、單機(jī)功率要躍遷到50kW和62.5kW，純硅IGBT的并聯(lián)個(gè)數(shù)太多，不符合客戶(hù)的利益要求，功率越往上走，客戶(hù)有很強(qiáng)的動(dòng)力減少I(mǎi)GBT單管的數(shù)量，混合IGBT具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，橫管豎管都使用混合IGBT，可以最大限度壓低IGBT開(kāi)通電阻，降低IGBT開(kāi)關(guān)損耗，最大限度發(fā)揮混管的性能。

若將IGBT的開(kāi)通關(guān)斷電阻分開(kāi)，橫管跟豎管同時(shí)選擇混管，理論上可以將開(kāi)通電阻調(diào)到0Ω，大大降級(jí)IGBT的損耗，這么一來(lái)，就可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距，最大程度發(fā)揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現(xiàn)階段評(píng)估成本還太高，無(wú)法干過(guò)混管。混管在現(xiàn)有方案中具有較強(qiáng)的發(fā)展?jié)摿蜕Α?/p>

橫管混合IGBT選型：

BGH50N65HF1、BGH50N65HS1、BGH50N65ZF1、BGH75N65HF1、BGH75N65ZF1

豎管混合IGBT選型：

BGH40N120HF1、BGH40N120HS1、BGH75N120HF1、BGH75N120HS1

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